特許
J-GLOBAL ID：200903062251923559
熱電半導体焼結素子の製造方法及び熱電半導体焼結体用押出し型
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
大川 宏
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-277624
公開番号（公開出願番号）：特開平11-121817
出願日： 1997年10月09日
公開日（公表日）： 1999年04月30日
要約：
【要約】【課題】 押出し型材のキャビティー内に導入された熱電半導体焼結体の結晶粉末を熱間押出し加工して棒状の焼結体として押出す熱電半導体焼結体素子の製造方法において、押出し型材と焼結体成分との反応を阻止し、生産性が良好で性能の一定した素子を製作できるようにする。【解決手段】WC+Co、SKD61、サーメット等の材質からなる押出し型材(2、3)のキャビティー壁に炭化物またはダイヤモンドライクカーボンからなる表面コーティング層7を形成し、キャビティー内の焼結体成分(Bi-Te系等の金属材料の結晶粉末)と押出し型材との反応を阻止するようにした。
請求項（抜粋）：
熱電半導体結晶粉末を押出しダイスのキャビティー内で加熱しつつ押出して棒状の熱電半導体焼結体を形成し、得られた該熱電半導体焼結体を切断して熱電半導体焼結素子とする熱電半導体焼結素子の製造方法であって、前記キャビティーを形成する壁面に炭化物またはダイヤモンドライクカーボンからなる表面コーティング層を形成したことを特徴とする熱電半導体焼結素子の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 35/34
, B22F 3/20
, H01L 35/16
H01L 35/34
, B22F 3/20 C
, H01L 35/16
