特許
J-GLOBAL ID：200903062283738605
半導体装置およびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高田 守
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-260198
公開番号（公開出願番号）：特開平7-115097
出願日： 1993年10月18日
公開日（公表日）： 1995年05月02日
要約：
【要約】【目的】 金属超微粒子4の吹き付けによって形成するバンプ電極21において、隣接バンプ電極21間の接触を防いで微細化を図る。【構成】 半導体基板2上に、電極パッド1形成領域を開口部とするフォトレジスト膜20のパターンを形成し、その上から金属超微粒子4を吹き付けて堆積させた後、フォトレジスト膜20およびその上に堆積された不要な金属超微粒子4を除去してバンプ電極21を形成する。
請求項（抜粋）：
素子構成された半導体基板上に電極パッドと、この電極パッド上に金属超微粒子の吹き付けにより形成されたバンプ電極とを有する半導体装置において、上記バンプ電極の少なくとも下層部が、その上記半導体基板と平行な断面が所定高さにわたって一定となる柱状であることを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
H01L 21/321
, H01L 21/60 311
H01L 21/92 F
, H01L 21/92 C
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (9件)
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