特許
J-GLOBAL ID：200903062325222230
複合部材の分離方法及び薄膜の製造方法並びに複合部材の分離装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
大塚 康徳 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-361346
公開番号（公開出願番号）：特開2001-230393
出願日： 2000年11月28日
公開日（公表日）： 2001年08月24日
要約：
【要約】【課題】貼り合わせ基板等の複合部材における亀裂の発生位置の再現性を高め、端部における薄膜の欠損量を抑制する。【解決手段】分離層4と前記分離層4上にある移設層5とを有する第1の部材1と、第2の部材2とが密着した複合部材を、前記第1の部材1と前記第2の部材2との密着界面とは異なる位置において分離する。まず、前記密着界面に対して非対称な力を前記複合部材の端部に作用させることにより、前記複合部材に前記第1の部材1の表面から前記移設層5を通り前記分離層4に至る亀裂7Aを形成する。次いで、前記分離層4に沿って前記亀裂を成長させ、前記複合部材を完全に分離する。
請求項（抜粋）：
分離層と前記分離層上にある移設層とを有する第1の部材と、第2の部材とが密着した複合部材を、前記第1の部材と前記第2の部材との密着界面とは異なる位置において分離する複合部材の分離方法であって、前記密着界面に対して非対称な力を前記複合部材の端部に作用させることにより、前記複合部材に前記第1の部材の表面から前記移設層を通り前記分離層に至る亀裂を形成する工程を含む予備分離工程と、前記分離層に沿って前記亀裂を成長させる工程を含む本分離工程と、を有する分離方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 27/12 B
, H01L 21/02 B
