特許
J-GLOBAL ID：200903062342366342

多接合型薄膜太陽電池

発明者：
和田 健司

和田 健司 について


出願人/特許権者：
シャープ株式会社

シャープ株式会社 について


代理人 (1件)： 佐々木 晴康 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-339961
公開番号（公開出願番号）：特開2002-151716
出願日： 2000年11月08日
公開日（公表日）： 2002年05月24日
要約：
【要約】【課題】 結晶質半導体層中の欠陥密度が低減され、かつ凹凸テクスチャー構造による光閉込効果が十分に得られるアモルファス-結晶質接合型薄膜太陽電池を提供する。【解決手段】 薄膜太陽電池において、光電変換素子構造を支持する表面は、凹凸大きさRと凹凸間隔Lとの比R/Lの平均値が0.1以上1.5以下の範囲にあるテクスチャー構造を形成する。該表面上に形成される光電変換素子構造において、該表面に接するp型半導体層13、および真性半導体層14は、柱状に成長した高さ100nm以上の結晶粒により主として構成される結晶質層である。
請求項（抜粋）：
基板と、前記基板上に積層された複数の光電変換素子構造とを備え、前記複数の光電変換素子構造の夫々において、第1導電型半導体層、真性半導体層および第2導電型半導体層が順に積層されており、前記積層された複数の光電変換素子構造のうち、前記基板側から数えてN(Nは1以上の任意の整数)番目の光電変換素子構造の第2導電型半導体層側表面は、凹凸間隔Lに対する凹凸大きさRの比R/Lが0.1〜1.5の範囲にあるような凹凸によるテクスチャー構造を有しており、かつ前記N番目の光電変換素子構造上に形成されるN+1番目の光電変換素子構造の前記第1導電型半導体層ならびに前記真性半導体層は、前記N番目の光電変換素子構造の第2導電型半導体層側表面に垂直な方向に柱状に成長している結晶粒により主として構成されている結晶質半導体層である、多接合型薄膜太陽電池。
FI (2件)：
H01L 31/04 Y ,  H01L 31/04 X
Fターム (10件)：
5F051AA03 ,  5F051AA04 ,  5F051AA05 ,  5F051BA17 ,  5F051CB01 ,  5F051CB12 ,  5F051DA04 ,  5F051DA16 ,  5F051DA18 ,  5F051DA20
引用特許：
審査官引用 (5件)
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