特許

J-GLOBAL ID：200903062435595830

半導体装置、表示装置、及びそれらの作製方法、並びにテレビジョン装置

発明者： 藤井 厳 ,  森末 将文
出願人/特許権者： 株式会社半導体エネルギー研究所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-338507
公開番号（公開出願番号）：特開2006-179880
出願日： 2005年11月24日
公開日（公表日）： 2006年07月06日
要約：

【課題】材料の利用効率を向上させ、かつ、作製工程を簡略化して作製可能な半導体装置、表示装置及びその作製技術を提供することを目的とする。また、それらの半導体装置、表示装置を構成する配線等のパターンを、所望の形状で密着性よく形成できる技術を提供することも目的とする。【解決手段】第1の導電層と第2の導電層の間に、導電性の有孔バッファ層を形成することによって、第1の導電層と第2の導電層との密着性を高める。有孔バッファ層が有する孔に、粒子状の導電性材料を侵入させ、焼成によって固化し、第2の導電層を形成する。孔内で固化した導電層がくさびのような働きをし、この働く力によって、第2の導電層は、第1の導電層と密着性よく安定して形成される。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

第1の導電層と、第2の導電層と、前記第1の導電層と前記第2の導電層との間に設けられた導電性の有孔バッファ層とを有し、 前記第2の導電層の一部は、前記有孔バッファ層の孔内を充填することを特徴とする半導体装置。

IPC (5件)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/288 ,  H01L 29/417 ,  H01L 21/320 ,  G02F 1/136

FI (7件)：

H01L29/78 616U ,  H01L29/78 616V ,  H01L29/78 612A ,  H01L21/288 Z ,  H01L29/50 M ,  H01L21/88 B ,  G02F1/1368

Fターム (125件)：

2H092JA26 ,  2H092JA40 ,  2H092JA44 ,  2H092JB24 ,  2H092JB33 ,  2H092KA19 ,  2H092KB05 ,  2H092MA10 ,  2H092MA12 ,  2H092NA27 ,  4M104AA09 ,  4M104BB01 ,  4M104BB02 ,  4M104BB04 ,  4M104BB05 ,  4M104BB06 ,  4M104BB07 ,  4M104BB08 ,  4M104BB09 ,  4M104BB14 ,  4M104BB16 ,  4M104BB17 ,  4M104BB18 ,  4M104BB36 ,  4M104DD21 ,  4M104DD51 ,  4M104DD78 ,  4M104FF13 ,  4M104GG09 ,  4M104GG10 ,  4M104GG14 ,  4M104HH08 ,  5F033GG04 ,  5F033HH04 ,  5F033HH07 ,  5F033HH08 ,  5F033HH11 ,  5F033HH13 ,  5F033HH14 ,  5F033HH19 ,  5F033HH31 ,  5F033HH35 ,  5F033HH38 ,  5F033MM05 ,  5F033MM08 ,  5F033PP15 ,  5F033PP26 ,  5F033QQ73 ,  5F033QQ82 ,  5F033QQ83 ,  5F033QQ99 ,  5F033RR03 ,  5F033RR04 ,  5F033RR05 ,  5F033RR06 ,  5F033RR07 ,  5F033RR08 ,  5F033RR21 ,  5F033RR22 ,  5F033RR27 ,  5F033SS21 ,  5F033VV15 ,  5F033XX01 ,  5F033XX13 ,  5F110AA03 ,  5F110AA26 ,  5F110BB01 ,  5F110BB02 ,  5F110BB04 ,  5F110CC01 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110DD17 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE05 ,  5F110EE06 ,  5F110EE09 ,  5F110EE14 ,  5F110EE15 ,  5F110EE28 ,  5F110EE42 ,  5F110EE44 ,  5F110EE45 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF09 ,  5F110GG02 ,  5F110GG05 ,  5F110GG13 ,  5F110GG14 ,  5F110GG28 ,  5F110GG29 ,  5F110GG42 ,  5F110GG43 ,  5F110GG45 ,  5F110GG47 ,  5F110GG51 ,  5F110HK02 ,  5F110HK04 ,  5F110HK07 ,  5F110HK09 ,  5F110HK21 ,  5F110HK22 ,  5F110HK25 ,  5F110NN02 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN27 ,  5F110NN33 ,  5F110NN72 ,  5F110PP03 ,  5F110PP10 ,  5F110PP29 ,  5F110PP34 ,  5F110PP35 ,  5F110QQ19 ,  5F110QQ28

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 半導体層への不純物の導入方法、および薄膜トランジスタ並びに半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-052460   出願人：セイコーエプソン株式会社

審査官引用 (4件)

• 薄膜パターンの形成方法及びデバイスの製造方法、電気光学装置及び電子機器
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-094527   出願人：セイコーエプソン株式会社
• 液晶表示装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-068351   出願人：株式会社東芝
• 配線材料、配線基板及びその製造方法並びに表示パネル、微粒子薄膜材料、薄膜層を備えた基板及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-006017   出願人：シャープ株式会社
• 電子デバイスの作製方法及び電子デバイス
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-180269   出願人：三菱化学株式会社