特許
J-GLOBAL ID：200903062438608983
電子部品およびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：
志賀 正武
, 高橋 詔男
, 渡邊 隆
, 青山 正和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-292167
公開番号（公開出願番号）：特開2005-064227
出願日： 2003年08月12日
公開日（公表日）： 2005年03月10日
要約：
【課題】十分な半田バンプの高さを備えつつ、バックグラインド加工による半導体基板の薄形化が可能な電子部品およびその製造方法を提供する。【解決手段】半導体基板1の一方の面に絶縁層3、導電層4、封止層5を順に積層し、封止層5に導電層4が露出された電極パッド6を設けた構造体と、電極パッド6上に載置された半田バンプ7とを備えた半導体装置10において、半田バンプ7の高さをd1、半導体基板1の厚みをd2とした場合、d1≧d2とする。電子部品の製造方法において、上記構造体のうち電極パッド6が設けられた面上の全域にわたって保護層を形成する工程A、保護層を開口して電極パッド6を露出する工程B、電極パッド6上に半田バンプ7を形成する工程C、半導体基板1の他方の面をバックグラインド加工する工程D、および、保護層を除去する工程Eを順次行う。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
半導体基板の一面に絶縁層、導電層、封止層を順に積層し、該封止層に前記導電層を露出させた電極パッドを設けた構造体と、前記電極パッド上に載置された半田バンプとを備えた電子部品において、
前記半田バンプの高さをd1、前記半導体基板の厚みをd2とした場合、d1≧d2であることを特徴とする電子部品。
IPC (1件)：
FI (1件)：
引用特許：
出願人引用 (1件)
審査官引用 (5件)
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