特許
J-GLOBAL ID:200903062448737722

アナターゼ型TiO2単結晶薄膜の作製方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 社本 一夫 (外5名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-161743
公開番号(公開出願番号):特開2001-342022
出願日: 2000年05月31日
公開日(公表日): 2001年12月11日
要約:
【要約】【課題】 アナターゼ型のTiO2 単結晶を作製する方法に関するものであり、結晶性の向上により光触媒反応効率などの特性を上げようとするものである。【解決手段】 低圧酸素雰囲気(10mTorr〜100mTorr)でレーザー蒸着法によりSrTiO3 などの平滑な単結晶基板上に厚さが10nm(ナノメータ)から2μmの範囲に制御されたアナターゼ型のTiO2 の単結晶薄膜を作製するものである。アナターゼ型の単結晶を形成させる基板温度は、350°C〜600°Cに制御される条件、酸素ガス圧は10mTorr〜100mTorrに制御される条件とする。
請求項(抜粋):
レーザー蒸着法によりチタン酸ストロンチウム(SrTiO3 )単結晶基板上にアナターゼ型の二酸化チタン(TiO2 )単結晶薄膜を作製する方法。
IPC (10件):
C01G 23/07 ,  B01D 53/86 ,  B01D 53/94 ,  B01J 21/06 ,  B01J 32/00 ,  B01J 35/02 ,  B01J 37/02 301 ,  C23C 14/08 ,  C30B 23/08 ,  C30B 29/16
FI (10件):
C01G 23/07 ,  B01J 21/06 A ,  B01J 32/00 ,  B01J 35/02 J ,  B01J 37/02 301 P ,  C23C 14/08 E ,  C30B 23/08 Z ,  C30B 29/16 ,  B01D 53/36 J ,  B01D 53/36 102 C
Fターム (51件):
4D048AA06 ,  4D048AB03 ,  4D048BA07X ,  4D048BA41X ,  4D048BB03 ,  4D048EA01 ,  4G047CA02 ,  4G047CB04 ,  4G047CC03 ,  4G047CD02 ,  4G047CD07 ,  4G069AA03 ,  4G069AA08 ,  4G069BA04A ,  4G069BA04B ,  4G069BA48A ,  4G069CA02 ,  4G069CA03 ,  4G069CA10 ,  4G069CA13 ,  4G069DA05 ,  4G069EA08 ,  4G069EB15Y ,  4G069EC22X ,  4G069EC22Y ,  4G069FA01 ,  4G069FA03 ,  4G069FB02 ,  4G069FC06 ,  4G069FC07 ,  4G077AA03 ,  4G077BB04 ,  4G077DA03 ,  4G077EA02 ,  4G077EA05 ,  4G077EA07 ,  4G077ED06 ,  4G077HA20 ,  4G077SA04 ,  4G077SA07 ,  4K029AA04 ,  4K029BA48 ,  4K029BB07 ,  4K029BB09 ,  4K029BC07 ,  4K029BD00 ,  4K029CA02 ,  4K029DB03 ,  4K029DB20 ,  4K029EA03 ,  4K029EA08
引用特許:
審査官引用 (3件)
引用文献:
前のページに戻る