特許
J-GLOBAL ID：200903062465415011
半導体装置およびその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
花輪 義男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-164363
公開番号（公開出願番号）：特開2005-347461
出願日： 2004年06月02日
公開日（公表日）： 2005年12月15日
要約：
【課題】 ベース板上にCSPと呼ばれる半導体構成体が設けられ、半導体構成体の周囲におけるベース板上に絶縁層が設けられ、半導体構成体および絶縁層上に上層絶縁膜および上層配線が設けられた半導体装置において、半導体構成体と絶縁層および上層絶縁膜との間の密着力を大きくする。【解決手段】 ベース板1の上面には半導体構成体2が接着層3を介して設けられている。半導体構成体2の側面と上面およびベース板1の上面にはシランカップリング剤からなる密着力向上膜14a、14b、14cが設けられている。密着力向上膜14aの周囲における密着力向上膜14cの上面には絶縁層15が設けられている。密着力向上膜14aおよび絶縁層15の上面には上層絶縁膜16が設けられている。なお、半導体構成体2と接着層3との間およびベース板1と接着層3との間にシランカップリング剤からなる密着力向上膜を設けるようにしてもよい。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
ベース部材と、前記ベース部材上に設けられ、且つ、半導体基板および該半導体基板上に設けられた複数の外部接続用電極を有する少なくとも1つの半導体構成体と、前記半導体構成体の周側面あるいは前記半導体構成体の周囲における前記ベース部材の上面に設けられた密着力向上膜と、前記ベース部材上に前記半導体構成体の周側面あるいは前記ベース部材の上面に設けられた密着力向上膜を介して設けられた絶縁層とを備えていることを特徴とする半導体装置。
IPC (1件)：
FI (2件)：
H01L23/12 501P
, H01L23/12 501Z
出願人引用 (1件)
審査官引用 (6件)
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