レジスト材料及びパターン形成方法

発明者： , , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小島隆司 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-299177
公開番号（公開出願番号）：特開平11-190904
出願日： 1998年10月06日
公開日（公表日）： 1999年07月13日
要約：

【要約】【解決手段】 (A):有機溶剤、(B):1種又は2種以上の酸不安定基を有する高分子化合物が更に分子内及び/又は分子間でC-O-C基を有する架橋基により架橋されている重量平均分子量が1,000〜500,000である2種以上の高分子化合物、(C):酸発生剤を含有してなることを特徴とするレジスト材料。【効果】本発明のレジスト材料は、高エネルギー線に感応し、感度、解像性、プラズマエッチング耐性に優れ、しかもレジストパターンの耐熱性、再現性にも優れている。また、パターンがオーバーハング状になりにくく、寸法制御性に優れている。更に、アセチレンアルコール誘導体の配合により保存安定性が向上する。従って、本発明のレジスト材料は、これらの特性より、特にKrFエキシマレーザーの露光波長での吸収が小さいレジスト材料となり得るもので、微細でしかも基板に対して垂直なパターンを容易に形成でき、このため超LSI製造用の微細パターン形成材料として好適である。

請求項（抜粋）：

(A):有機溶剤、(B):1種又は2種以上の酸不安定基を有する高分子化合物が更に分子内及び/又は分子間でC-O-C基を有する架橋基により架橋されている重量平均分子量が1,000〜500,000である2種以上の高分子化合物、(C):酸発生剤を含有してなることを特徴とするレジスト材料。

IPC (2件)：

G03F 7/039 601 , H01L 21/027

FI (2件)：

G03F 7/039 601 , H01L 21/30 502 R

引用特許：

審査官引用 (4件)

架橋されたポリマー
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-098487 出願人：オー・シー・ジー・マイクロエレクトロニツク・マテリアルズ・インコーポレイテツド
ポジ型レジスト組成物
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-305113 出願人：東京応化工業株式会社
ポジ型フォトレジスト組成物
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-217593 出願人：富士写真フイルム株式会社

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