特許
J-GLOBAL ID：200903062506225702
複合材料ウェハの製造方法および使用済みドナー基板のリサイクル方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
山田 行一
, 野田 雅一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-348136
公開番号（公開出願番号）：特開2007-251129
出願日： 2006年12月25日
公開日（公表日）： 2007年09月27日
要約：
【課題】ドナー基板からハンドル基板へ層を転写するシリコン・オン・インシュレータタイプのウェハ製造において、得られるドナー基板のリサイクル率を高める製造方法を提供する。【解決手段】初期ドナー基板1に分割エリア7、絶縁層5を形成し、ハンドル基板9に転写した後、ドナー基板1を引き離すことで複合材料ウェハ11を形成する製造方法において、ドナー基板1および/またはドナー基板1の残り13にある酸素析出物および/または原子核を少なくとも部分的に低減するように、1200°C〜1250°Cの温度範囲の急速熱酸化を行う。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
特にシリコン・オン・インシュレータタイプのウェハのような複合材料ウェハを製造するための方法であり、
a)初期ドナー基板(1)を提供するステップと、
b)前記初期ドナー基板(1)上に絶縁層(5)を形成するステップと、
c)前記初期ドナー基板(1)に所定の分割エリア(7)を形成するステップと、
d)前記初期ドナー基板(1)をハンドル基板(9)に付着させるステップと、
e)前記所定の分割エリア(7)で前記ドナー基板(1)を引き離すことで、前記初期ドナー基板(1)の層(15)を前記ハンドル基板(9)に転写して、複合材料ウェハ(11)を形成するステップと、
を備える、前記方法において、
特に溶解によって、前記初期ドナー基板(1)および/または前記ドナー基板(1)の残り(13)にある酸素析出物および/または原子核を少なくとも部分的に低減するように構成された少なくとも1つの熱処理ステップをさらに備えることを特徴とする、方法。
IPC (6件)：
H01L 21/02
, H01L 27/12
, H01L 21/316
, H01L 21/762
, H01L 21/322
, H01L 21/26
H01L27/12 B
, H01L21/316 S
, H01L21/76 D
, H01L21/322 Y
, H01L21/26 F
5F032AA91
, 5F032CA09
, 5F032DA21
, 5F032DA33
, 5F032DA53
, 5F032DA60
, 5F032DA71
, 5F032DA74
, 5F058BA20
, 5F058BC02
, 5F058BD04
, 5F058BF56
, 5F058BF62
, 5F058BH02
, 5F058BJ01
