特許
J-GLOBAL ID：200903029794614060
SOI基板の製造方法およびSOI基板
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
安倍 逸郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-109465
公開番号（公開出願番号）：特開2004-319642
出願日： 2003年04月14日
公開日（公表日）： 2004年11月11日
要約：
【課題】COPが存在しないシリコン単結晶であっても、酸素析出が促進されている領域を有する。そこで、この領域から加工されたシリコンウェーハを、SOI基板の活性層用のシリコンウェーハとして、酸化膜耐圧などの電気的特性を向上させて作製するSOI基板の製造方法およびSOI基板を提供する。【解決手段】COPが存在しないシリコン単結晶からシリコンウェーハを加工する。この後、このシリコンウェーハに対して、不活性ガス雰囲気で熱処理を行う。これにより、シリコンウェーハ表面から酸素を効率よく外方拡散させることができる。そして、このシリコンウェーハを活性層用のシリコンウェーハとして、SOI基板を作製する。この結果、酸素の析出が促進されている領域から加工されたシリコンウェーハであっても、SOI基板の酸化膜耐圧などの電気的特性が向上する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
絶縁層を介在させ表面側にSOI層を有するSOI基板を製造するSOI基板の製造方法において、
COPが存在しないシリコン単結晶からシリコンウェーハを作製する工程と、
このシリコンウェーハに対して絶縁層を形成させる前に不活性ガス雰囲気で熱処理する工程とを含むSOI基板の製造方法。
IPC (2件)：
FI (3件)：
H01L27/12 B
, H01L27/12 E
, H01L21/324 X
