特許
J-GLOBAL ID：200903091448181350

剥離ウェーハの再生加工方法及びこの方法により再生加工された剥離ウェーハ

発明者：
奥田 秀彦

奥田 秀彦 について

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遠藤 昭彦

遠藤 昭彦 について

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草場 辰己

草場 辰己 について


出願人/特許権者：
株式会社SUMCO

株式会社SUMCO について


代理人 (1件)： 須田 正義
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-341397
公開番号（公開出願番号）：特開2007-149907
出願日： 2005年11月28日
公開日（公表日）： 2007年06月14日
要約：
【課題】イオン注入剥離法において副産物として生成される剥離ウェーハに再生加工処理を施して酸素析出核又は酸素析出物を消滅させ、HF欠陥の発生が抑制された歩留まりの良いSOIウェーハを作製するSOI層用ウェーハとして、何度も再利用する再生加工処理された剥離ウェーハを提供する。【解決手段】 剥離ウェーハの再生加工方法は、イオン注入剥離法によって貼合せSOIウェーハ10を製造する際に副産物として得られる剥離ウェーハ11bに再生加工を施して貼合せSOIウェーハ10のSOI層用ウェーハ11として再利用する再生加工方法において、剥離ウェーハ11bを酸素を含む酸化雰囲気下で急速加熱した後、一定時間保持し続いて急速冷却処理を行う工程と、剥離ウェーハ11b表面を鏡面研磨する工程とを含む。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
イオン注入剥離法によって貼合せSOIウェーハを製造する際に副産物として得られる剥離ウェーハ(11b)に再生加工を施して貼合せSOIウェーハ(10)のSOI層用ウェーハ(11)として再利用する再生加工方法において、 剥離ウェーハ(11b)を酸素を含む酸化雰囲気下で急速加熱した後、一定時間保持し続いて急速冷却する工程と、 前記剥離ウェーハ(11b)表面を鏡面研磨する工程と を含む剥離ウェーハの再生加工方法。
IPC (2件)：
H01L 21/02 ,  H01L 27/12
FI (2件)：
H01L21/02 B ,  H01L27/12 B
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (4件)
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