特許
J-GLOBAL ID：200903062514156140

CMPスラリー用の補助剤

発明者：
ギ-ラ・イ

ギ-ラ・イ について

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ジョン-ピル・キム

ジョン-ピル・キム について

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ジュン-ヒー・イ

ジュン-ヒー・イ について

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ジョン-ジン・ホン

ジョン-ジン・ホン について

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ヨン-ジュン・ホン

ヨン-ジュン・ホン について

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ノ-マ・キム

ノ-マ・キム について

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アン-ナ・イ

アン-ナ・イ について


出願人/特許権者：
エルジー・ケム・リミテッド

エルジー・ケム・リミテッド について


代理人 (2件)： 棚井 澄雄 ,  実広 信哉
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-542929
公開番号（公開出願番号）：特表2008-521242
出願日： 2005年12月28日
公開日（公表日）： 2008年06月19日
要約：
CMPスラリー用の補助剤を提供する。a)重量平均分子量が1,000〜20,000であり、主鎖及び側鎖よりなるグラフト型の高分子電解質とb)塩基性物質とを含む高分子電解質塩を含有し、正電荷を帯びた材料と負電荷を帯びた材料を同時に研磨するとき、正電荷を帯びた材料に吸着して負電荷を帯びた材料に対する研磨選択性を高める補助剤、及び該補助剤と研磨粒子を含有するCMPスラリー。
請求項（抜粋）：
a)重量平均分子量が1,000〜20,000であり、主鎖及び側鎖よりなるグラフト型の高分子電解質と、 b)塩基性物質とを含む高分子電解質塩を含み、 正電荷を帯びる材料と負電荷を帯びる材料を同時に研磨するとき、正電荷を帯びる材料に吸着して負電荷を帯びる材料に対する研磨選択性を高めることを特徴とする補助剤。
IPC (3件)：
H01L 21/304 ,  B24B 37/00 ,  C09K 3/14
FI (4件)：
H01L21/304 622D ,  H01L21/304 622X ,  B24B37/00 H ,  C09K3/14 550Z
Fターム (5件)：
3C058AA07 ,  3C058CB07 ,  3C058DA02 ,  3C058DA12 ,  3C058DA17
引用特許：
出願人引用 (13件)
  • アメリカ特許第5,614,444号公報
  • 大韓民国公開特許第2003-0039999号公報
  • 大韓民国公開特許第2004-0057653号公報
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審査官引用 (2件)
  • CMP研磨剤及び基板の研磨方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-286349   出願人：日立化成工業株式会社
  • CMP研磨液
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-205996   出願人：日立化成工業株式会社

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