特許

J-GLOBAL ID：200903087023844196

半導体基板の研磨方法

発明者： 坂本 多可雄 ,  高橋 剛紀 ,  喜多 康之 ,  戸松 元男 ,  星 義彦 ,  斉藤 政義 ,  篭嶋 哲洋
出願人/特許権者： 東芝セラミックス株式会社
代理人 (1件)： 波多野 久 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-137742
公開番号（公開出願番号）：特開2001-319900
出願日： 2000年05月10日
公開日（公表日）： 2001年11月16日
要約：

【要約】【課題】大掛かりで、複雑、精密な装置を必要とせず、簡便に一定の研磨レートが得られ、かつ半導体基板および製造ラインへのアルカリ金属汚染等のおそれがない、半導体基板の研磨方法を提供する。【解決手段】研磨布4を貼付した定盤3上に、シリカを分散させたスラリSを供給し、半導体基板Wを保持したプレート5を押圧、回転させることにより、半導体基板Wの表面を研磨する半導体基板の研磨方法において、スラリSに有機アルカリを添加し、pH10.5〜11.6にしたことを特徴とする半導体基板の研磨方法。

請求項（抜粋）：

研磨布が貼付され回転する定盤上に、シリカを分散させたスラリを供給し、半導体基板を研磨布に押圧させることにより、半導体基板の表面を研磨する半導体基板の研磨方法において、スラリに有機アルカリを添加し、pH10.5〜11.6にしたことを特徴とする半導体基板の研磨方法。

IPC (3件)：

H01L 21/304 622 ,  B24B 37/00 ,  B24B 57/02

FI (3件)：

H01L 21/304 622 D ,  B24B 37/00 H ,  B24B 57/02

Fターム (7件)：

3C047FF08 ,  3C047GG15 ,  3C058AA07 ,  3C058CB05 ,  3C058DA02 ,  3C058DA12 ,  3C058DA17

引用特許：

審査官引用 (5件)

• 半導体製品表面用研磨液組成物
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-079704   出願人：旭電化工業株式会社
• 研磨用のスラリー
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-015603   出願人：財団法人工業技術研究院
• 半導体製品の表面研磨システム
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-079703   出願人：旭電化工業株式会社
• 化学的機械的研摩に用いられる懸濁液用の緩衝液
  公報種別：公表公報   出願番号：特願平10-544963   出願人：メルクパテントゲゼルシャフトミットベシュレンクテルハフトング
• シリコンウェーハの研磨液及びこれを用いた研磨方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-252548   出願人：三菱マテリアルシリコン株式会社