特許

J-GLOBAL ID：200903062580628592

高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法

発明者： 畠山 潤 ,  原田 裕次 ,  河合 義夫 ,  笹子 勝 ,  遠藤 政孝 ,  岸村 眞治 ,  大谷 充孝 ,  宮澤 覚 ,  堤 憲太郎 ,  前田 一彦
出願人/特許権者： 信越化学工業株式会社 ,  松下電器産業株式会社 ,  セントラル硝子株式会社
代理人 (1件)： 小島 隆司 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-182417
公開番号（公開出願番号）：特開2003-082030
出願日： 2002年06月24日
公開日（公表日）： 2003年03月19日
要約：

【要約】【解決手段】 式(1a)、(1b)、(1c)の繰り返し単位を有する高分子化合物。【化1】(R<SP>1</SP>、R<SP>2</SP>、R<SP>5</SP>、R<SP>6</SP>はH、F、アルキル、又はフッ素化アルキル、R<SP>3</SP>、R<SP>7</SP>はF、又はフッ素化アルキル、R<SP>4</SP>は酸不安定基、R<SP>8</SP>は密着性基、H、又はアルキル又はフッ素化アルキル、R<SP>10</SP>は単結合、アルキレン、又はフッ素化アルキレン、R<SP>11</SP>、R<SP>12</SP>はH、又はアルキル又はフッ素化アルキル、R<SP>13</SP>はH、F、アルキル、又はフッ素化アルキル、R<SP>14</SP>はH、アルキル又は酸不安定基、0<a<1、0<b<1、0<c<1、0<a+b+c≦1、m、nは、1≦m≦5、0≦n≦4の整数、m+n=5。)【効果】 本発明のレジスト材料は、高エネルギー線に感応し、200nm以下、特に170nm以下の波長における感度が優れている上に、レジストの透明性が向上し、それと同時に優れたプラズマエッチング耐性を有する。

請求項（抜粋）：

下記一般式(1a)、(1b)、(1c)で示される繰り返し単位を有することを特徴とする高分子化合物。【化1】(式中、R<SP>1</SP>、R<SP>2</SP>、R<SP>5</SP>、R<SP>6</SP>は水素原子、フッ素原子、又は炭素数1〜20の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキル基又はフッ素化されたアルキル基である。R<SP>3</SP>、R<SP>7</SP>はフッ素原子、又は炭素数1〜20の直鎖状、分岐状もしくは環状のフッ素化されたアルキル基である。R<SP>4</SP>は酸不安定基、R<SP>8</SP>は密着性基、水素原子、又は炭素数1〜20の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキル基又はフッ素化されたアルキル基である。R<SP>10</SP>は単結合、又は炭素数1〜20のアルキレン基、又はフッ素化されたアルキレン基である。R<SP>11</SP>、R<SP>12</SP>は水素原子、フッ素原子、又は炭素数1〜20の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキル基又はフッ素化されたアルキル基であり、R<SP>11</SP>、R<SP>12</SP>の少なくともどちらか一方に1個以上のフッ素原子を含む。R<SP>13</SP>は同一又は異種の水素原子、フッ素原子、又は炭素数1〜10の直鎖状、分岐状、環状のアルキル基であり、フッ素化されたアルキル基であってもよい。R<SP>14</SP>は水素原子又は炭素数1〜10の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキル基又は酸不安定基であり、エーテル基、カルボニル基、エステル基、ラクトン環を含んでいてもよい。a、b、cは、0<a<1、0<b<1、0<c<1であり、0<a+b+c≦1である。また、m、nは、1≦m≦5、0≦n≦4の整数であり、m+n=5である。)

IPC (4件)：

C08F220/22 ,  C08F212/14 ,  G03F 7/039 601 ,  H01L 21/027

FI (4件)：

C08F220/22 ,  C08F212/14 ,  G03F 7/039 601 ,  H01L 21/30 502 R

Fターム (26件)：

2H025AA01 ,  2H025AA09 ,  2H025AB16 ,  2H025AC08 ,  2H025AD03 ,  2H025BE00 ,  2H025BE10 ,  2H025BG00 ,  2H025CC20 ,  2H025FA03 ,  2H025FA12 ,  2H025FA17 ,  4J100AB07R ,  4J100AL26P ,  4J100AL26Q ,  4J100BA03Q ,  4J100BA10R ,  4J100BB07Q ,  4J100BB17R ,  4J100BC07P ,  4J100BC08Q ,  4J100BC53Q ,  4J100CA03 ,  4J100DA01 ,  4J100DA04 ,  4J100JA38

引用特許：

審査官引用 (4件)

• ポジ型レジスト組成物
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-254106   出願人：住友化学工業株式会社
• 高分子化合物、化学増幅レジスト材料及びパターン形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-309243   出願人：信越化学工業株式会社
• 化学増幅ポジ型レジスト材料
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-257756   出願人：信越化学工業株式会社
• 2,2-ビス(2,4-ジ-t-ブトキシカルボニルメチロキシフェニル)プロパン及びその誘導体
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-306557   出願人：信越化学工業株式会社