特許
J-GLOBAL ID：200903062629558706

半導体装置およびその製造方法

発明者：
五十嵐 孝行

五十嵐 孝行 について


出願人/特許権者：
三菱電機株式会社

三菱電機株式会社 について


代理人 (1件)： 宮田 金雄 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-011901
公開番号（公開出願番号）：特開平9-205100
出願日： 1996年01月26日
公開日（公表日）： 1997年08月05日
要約：
【要約】【課題】 バイポーラトランジスタのエミッタ領域の幅が、形成時のばらつきが大きいため信頼性良く微細化を図るのが困難である。【解決手段】 バイポーラトランジスタの活性領域25を一部覆う様にベース引き出し電極27を形成し、このベース引き出し電極27側壁に、熱酸化によるシリコン酸化膜30を介してエミッタ引き出し電極31を、サイドウォールとして形成することにより、エミッタ領域32の幅を高精度に微細化する。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に、バイポーラトランジスタが形成されるべき活性領域を囲む様に形成された分離絶縁膜と、上記バイポーラトランジスタのコレクタ層と、上記活性領域内で上記コレクタ層上に形成された上記バイポーラトランジスタのベース領域と、上記活性領域を一部覆う様に、上記ベース領域に接続形成されたベース引き出し電極と、このベース引き出し電極側壁に絶縁膜を介してサイドウォールとして形成されたエミッタ引き出し電極と、このエミッタ引き出し電極直下の上記活性領域内で上記ベース領域上に形成された上記バイポーラトランジスタのエミッタ領域とを有することを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
H01L 21/331 ,  H01L 29/73
引用特許：
審査官引用 (6件)
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