特許
J-GLOBAL ID：200903062666341989
基板の製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：
大塚 康徳
, 高柳 司郎
, 大塚 康弘
, 木村 秀二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-037404
公開番号（公開出願番号）：特開2004-247610
出願日： 2003年02月14日
公開日（公表日）： 2004年09月02日
要約：
【課題】薄い埋め込み絶縁膜を有する基板の製造方法を提供する。【解決手段】単結晶Si基板11の上に絶縁層12を形成し(a)、絶縁層12を通して基板11中にイオンを注入してイオン注入層13を形成する(b)。次いで、絶縁層12を薄膜化して薄い絶縁層12aとする(c)。次いで、(c)に示す第1基板を第2基板20に重ね合わせて結合基板30を形成し(d)、その後、結合基板30をイオン注入層13の部分で分割する(e)。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
埋め込み絶縁層を有する基板の製造方法であって、
半導体領域を含む第1基板の前記半導体領域の上に絶縁層を形成する絶縁層形成工程と、
前記絶縁層を通して前記半導体領域中にイオンを注入してイオン注入層を形成する注入工程と、
前記注入工程の後に前記絶縁層を薄化する絶縁層薄化工程と、
前記絶縁層を挟んで前記第1基板に第2基板を結合させて結合基板を作製する結合工程と、
前記結合基板を前記イオン注入層を利用して分割し、前記第2基板の上に前記絶縁層を有しその上に前記半導体領域の一部である半導体層を有する基板を得る分割工程と、
を含むことを特徴とする基板の製造方法。
IPC (3件)：
H01L27/12
, H01L21/02
, H01L21/762
H01L27/12 B
, H01L21/02 B
, H01L21/76 D
5F032AA06
, 5F032AA91
, 5F032CA09
, 5F032DA12
, 5F032DA21
, 5F032DA23
, 5F032DA24
, 5F032DA33
, 5F032DA53
, 5F032DA60
, 5F032DA71
, 5F032DA74
, 5F032DA78
