特許
J-GLOBAL ID：200903062683784630
エッチング性に優れた電解コンデンサー電極用アルミニウム箔地およびその製法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小谷 悦司 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-074365
公開番号（公開出願番号）：特開2000-269092
出願日： 1999年03月18日
公開日（公表日）： 2000年09月29日
要約：
【要約】【課題】 低純度のアルミニウム原料を使用した場合でも安定して高い(100)面率を確保でき、エッチング処理により高レベルの静電容量を与えると共に、低コスト化の要求も満たす電解コンデンサー電極用アルミニウム箔地を提供すること。【解決手段】 アルミニウム純度99.9%以上のアルミニウム鋳塊に均熱、熱間圧延および冷間圧延を施すことによって製造される電解コンデンサー電極用アルミニウム箔地であって、結晶方位密度で、S方位/Brass方位の相対強度比が1.2以上であり、最終の電極用アルミニウム箔としたときに高い(100)面率を示し、エッチング処理により高い静電容量を得ることのできる電解コンデンサ電極用アルミニウム箔地とその製法を開示する。
請求項（抜粋）：
アルミニウム純度99.9%以上のアルミニウム鋳塊に均熱、熱間圧延および冷間圧延を施すことによって製造される電解コンデンサー用アルミニウム箔地であって、結晶方位密度で、S方位/Brass方位の相対強度比が1.2以上であることを特徴とする電解コンデンサ電極用アルミニウム箔地。
IPC (6件)：
H01G 9/055
, C22F 1/00 684
, C22F 1/00 686
, C22F 1/00 694
, C22F 1/00
, C22F 1/04
H01G 9/04 346
, C22F 1/00 684 Z
, C22F 1/00 686 Z
, C22F 1/00 694 A
, C22F 1/00 694 B
, C22F 1/04 K
