特許
J-GLOBAL ID：200903062733727781
半導体素子の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
特許業務法人第一国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-061330
公開番号（公開出願番号）：特開2003-257936
出願日： 2002年03月07日
公開日（公表日）： 2003年09月12日
要約：
【要約】【課題】 エッチング処理中に、前のウエハ処理によって発生したエッチング生成物を除去することにより再現性のよい高効率のエッチング加工を可能とする。【解決手段】エッチング処理室5、該エッチング処理室内に配置した半導体基板を載置する基板ステージ10、前記エッチング処理室内にプラズマ4を生成するプラズマ生成手段、および前記エッチング処理室内に処理ガスを導入する処理ガス導入手段8を備えたプラズマ処理装置を用いて前記半導体基板を処理する半導体素子の製造方法において、前記エッチングの最終ステップの後に、最終ステップ処理条件のうち処理圧力を低圧化させる、もしくはウエハ印可バイアスを低下させる、あるいはその両方を行う条件を付加する。
請求項（抜粋）：
エッチング処理室、該エッチング処理室内に配置した半導体基板を載置する基板ステージ、前記エッチング処理室内にプラズマを生成するプラズマ生成手段、および前記エッチング処理室内に処理ガスを導入する処理ガス導入手段を備えたプラズマ処理装置を用いて、単段階もしくは連続した複数段階からなる処理条件によって前記半導体基板を処理する半導体素子の製造方法において、エッチング処理工程の後に、エッチング最終段階の処理条件の圧力を低下させた条件を付加したことを特徴とする半導体素子の製造方法。
Fターム (13件)：
5F004AA15
, 5F004BA14
, 5F004BB25
, 5F004BB26
, 5F004BD03
, 5F004CA02
, 5F004CA03
, 5F004CA04
, 5F004CA06
, 5F004DA04
, 5F004DA26
, 5F004DB01
, 5F004DB02
