特許
J-GLOBAL ID：200903062736841941
半導体集積回路装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
,
代理人 (8件)：
鈴江 武彦
, 河野 哲
, 中村 誠
, 蔵田 昌俊
, 峰 隆司
, 福原 淑弘
, 村松 貞男
, 橋本 良郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-023864
公開番号（公開出願番号）：特開2007-207332
出願日： 2006年01月31日
公開日（公表日）： 2007年08月16日
要約：
【課題】 ページフラグデータを高速に読み出すことができる不揮発性半導体メモリを有した半導体集積回路装置を提供する。【解決手段】 複数のページ(PAGE)は各々、ユーザによるデータの書き換えが可能なユーザ領域7と、当該ページの現状態を示すページフラグデータが書き込まれるページフラグ9領域とを含み、ページバッファ3は、ユーザデータを一時的に保持するユーザ用ページバッファ部11と、ページフラグデータを一時的に保持するページフラグ用ページバッファ部13とを含み、ページフラグデータはページフラグ領域9に配置された不揮発性半導体メモリセルに二値で記録し、ユーザデータはユーザ領域7に配置された不揮発性半導体メモリセルに多値で記録する。【選択図】 図12
請求項（抜粋）：
不揮発性半導体メモリセルが配置され、複数のページを含むメモリセルアレイと、
前記メモリセルアレイから読み出したページ単位のデータ、及び前記メモリセルアレイへ書き込むページ単位のデータを一時的に保持するページバッファと、
前記ページバッファと前記メモリセルアレイとを電気的に接続する複数のビット線と、を備え、
前記複数のページは各々、ユーザによるデータの書き換えが可能なユーザ領域と、当該ページの現状態を示すページフラグデータが書き込まれるページフラグ領域とを含み、
前記ページバッファは、前記ユーザ領域へ書き込み、及び前記ユーザ領域から読み出されるユーザデータを一時的に保持するユーザ用ページバッファ部と、前記ページフラグ領域へ書き込み、及び前記ページフラグ領域から読み出されるページフラグデータを一時的に保持するページフラグ用ページバッファ部とを含み、
前記ページフラグデータは、前記ページフラグ領域に配置された前記不揮発性半導体メモリセルに二値で記録し、
前記ユーザデータは、前記ユーザ領域に配置された前記不揮発性半導体メモリセルに多値で記録することを特徴とする半導体集積回路装置。
IPC (3件)：
G11C 16/02
, G11C 16/04
, G11C 16/06
G11C17/00 611G
, G11C17/00 611A
, G11C17/00 613
, G11C17/00 622E
, G11C17/00 634B
, G11C17/00 634G
, G11C17/00 635
, G11C17/00 641
5B125BA02
, 5B125BA19
, 5B125CA01
, 5B125CA14
, 5B125CA19
, 5B125CA20
, 5B125DA03
, 5B125DA09
, 5B125DB02
, 5B125DB09
, 5B125DB19
, 5B125DD04
, 5B125DE15
, 5B125EA05
, 5B125EA10
, 5B125EC08
, 5B125ED09
, 5B125EE19
, 5B125EJ09
, 5B125FA05
出願人引用 (1件)
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半導体記憶装置
公報種別：公開公報
出願番号：特願2004-160165
出願人：株式会社東芝
審査官引用 (3件)
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