特許
J-GLOBAL ID：200903062763182810

窒化ガリウム系半導体発光素子の製造方法

発明者：
鈴 木 伸 洋

鈴 木 伸 洋 について

, 
新 田 康 一

新 田 康 一 について


出願人/特許権者：
株式会社東芝

株式会社東芝 について


代理人 (1件)： 佐藤 一雄 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-196854
公開番号（公開出願番号）：特開2002-016284
出願日： 2000年06月29日
公開日（公表日）： 2002年01月18日
要約：
【要約】【課題】 多重量子井戸構造の活性層を有する窒化ガリウム系半導体発光素子の製造方法であって、発光効率の高い素子が得られる製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】 本発明は成長速度に特徴のある製造方法である。すなわち、有機金属気相成長法により、一般式In<SB>x</SB>Ga<SB>1-x</SB>N(0<X<1)/In<SB>y</SB>Ga<SB>1-y</SB> N(0≦Y<X)で表される多重量子井戸構造の活性層を有する窒化ガリウム系半導体発光素子を成長させる場合、前期活性層を0.4[μm/h]〜2.0[μm/h]、望ましくは0.6[μm/h]〜1.5[μm/h]、さらに望ましくは0.8[μm/h]〜1.2[μm/h]の成長速度で成長させる。In<SB>x</SB>Ga<SB>1-x</SB>N(0<X<1)well層の膜厚は1.5〜4.5[nm]、 barrier層の膜厚は、In<SB>x</SB>Ga<SB>1-x</SB>N(0<X<1) well層の膜厚の1.5〜5.0倍が良い。
請求項（抜粋）：
一般式In<SB>x</SB>Ga<SB>1-x</SB>N(0<X<1)/In<SB>y</SB>Ga<SB>1-y</SB> N(0≦Y<X)で表される多重量子井戸構造の活性層を有する窒化ガリウム系半導体発光素子を成長させる方法であって、前期活性層を0.4[μm/h]〜2.0[μm/h]の成長速度で成長させることを特徴とする窒化ガリウム系半導体発光素子の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 33/00 ,  C23C 16/34 ,  H01L 21/205
FI (3件)：
H01L 33/00 C ,  C23C 16/34 ,  H01L 21/205
Fターム (39件)：
4K030AA11 ,  4K030AA13 ,  4K030BA08 ,  4K030BA11 ,  4K030BA38 ,  4K030BB12 ,  4K030CA05 ,  4K030CA17 ,  4K030FA10 ,  4K030HA01 ,  4K030HA04 ,  4K030JA01 ,  4K030JA10 ,  4K030JA12 ,  5F041AA04 ,  5F041CA05 ,  5F041CA13 ,  5F041CA34 ,  5F041CA46 ,  5F041CA57 ,  5F041CA65 ,  5F041CA74 ,  5F041FF01 ,  5F041FF11 ,  5F045AA04 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AD09 ,  5F045AD10 ,  5F045AD11 ,  5F045AD12 ,  5F045AD13 ,  5F045AF09 ,  5F045BB16 ,  5F045CA10 ,  5F045CA12 ,  5F045DA55
引用特許：
審査官引用 (5件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM