特許
J-GLOBAL ID：200903016521123051
窒化物半導体レーザ素子
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
加藤 公久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-313993
公開番号（公開出願番号）：特開2000-124552
出願日： 1998年10月16日
公開日（公表日）： 2000年04月28日
要約：
【要約】【課題】レーザ発振光の遠視野像が単峰性を示す効率の良い窒化物半導体レーザ素子の構成とその製造方法とを与える。【解決手段】本発明の窒化物半導体レーザ素子は、AlNを含む低温堆積緩衝層と、クラッド層として該低温堆積緩衝層直上に成長したAlNを含むことにより、クラック発生なく有効に光を閉じ込めができる構造を有する。そして、出射レーザ光の遠視野における強度分布である遠視野像が単峰性を示すように前記窒化物半導体単結晶層の厚さとAlNのモル分率の少なくとも一方を調整できる特徴を有する。
請求項（抜粋）：
AlNを含む低温堆積緩衝層と、クラッド層として該低温堆積緩衝層直上に成長したAlNを含む窒化物半導体単結晶層とを含む窒化物半導体レーザ素子。
Fターム (8件)：
5F073AA74
, 5F073CA07
, 5F073CB04
, 5F073CB05
, 5F073CB07
, 5F073CB19
, 5F073EA18
, 5F073EA19
