特許
J-GLOBAL ID:200903062806981894
電子素子の製造方法、回路基板の製造方法、電子装置の製造方法、電気光学装置とその製造方法、電子機器、及びパターニング装置
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
上柳 雅誉 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2001-389675
公開番号(公開出願番号):特開2003-197612
出願日: 2001年12月21日
公開日(公表日): 2003年07月11日
要約:
【要約】【課題】 材料の選択自由度を高くした新たな製造方法と、この方法の実施に好適なパターニング装置を提供する。【解決手段】 導電材料、半導体材料、絶縁材料のうちの少なくとも一つの材料を備えた電子素子、回路基板、電子装置、電気光学装置を、パターニング装置1で製造する。実質的に真空に調整された真空雰囲気中に基体を配置し、導電材料、半導体材料、絶縁材料のうちの少なくとも一つあるいはこれら材料の前駆体のうちの少なくとも一つをノズル3から真空雰囲気中に吐出し、基体上の所定位置に少なくとも一つの材料を配置する。
請求項(抜粋):
導電材料、半導体材料、絶縁材料のうちの少なくとも一つの材料を備えた電子素子の製造方法であって、実質的に真空に調整された真空雰囲気中に基体を配置し、前記材料のうちの少なくとも一つあるいは前記材料の前駆体のうちの少なくとも一つをノズルから前記真空雰囲気中に吐出し、前記基体上の所定位置に前記少なくとも一つの材料を配置することを特徴とする電子素子の製造方法。
IPC (7件):
H01L 21/31
, G02F 1/1368
, H01L 21/288
, H01L 21/336
, H01L 21/363
, H01L 29/786
, H01L 51/00
FI (10件):
H01L 21/31 A
, G02F 1/1368
, H01L 21/288 Z
, H01L 21/363
, H01L 29/78 627 C
, H01L 29/78 617 J
, H01L 29/78 618 A
, H01L 29/78 617 V
, H01L 29/78 618 B
, H01L 29/28
Fターム (167件):
2H092GA59
, 2H092JA25
, 2H092JA29
, 2H092JA42
, 2H092JA44
, 2H092JA46
, 2H092JB13
, 2H092JB32
, 2H092JB38
, 2H092JB58
, 2H092JB63
, 2H092JB69
, 2H092KA04
, 2H092KB04
, 2H092KB14
, 2H092KB22
, 2H092KB23
, 2H092KB25
, 2H092MA05
, 2H092MA12
, 2H092MA28
, 2H092MA35
, 2H092MA37
, 4M104AA01
, 4M104AA08
, 4M104AA09
, 4M104AA10
, 4M104BB01
, 4M104BB02
, 4M104BB04
, 4M104BB05
, 4M104BB06
, 4M104BB07
, 4M104BB09
, 4M104BB13
, 4M104BB14
, 4M104BB16
, 4M104BB17
, 4M104BB18
, 4M104BB25
, 4M104BB26
, 4M104BB27
, 4M104BB28
, 4M104BB30
, 4M104BB32
, 4M104BB33
, 4M104BB36
, 4M104BB40
, 4M104CC01
, 4M104CC05
, 4M104DD16
, 4M104DD17
, 4M104DD18
, 4M104DD31
, 4M104DD37
, 4M104DD43
, 4M104DD44
, 4M104DD51
, 4M104DD63
, 4M104DD91
, 4M104EE03
, 4M104EE06
, 4M104EE12
, 4M104EE14
, 4M104EE16
, 4M104EE17
, 4M104EE18
, 4M104FF13
, 4M104FF14
, 4M104FF18
, 4M104FF22
, 4M104GG08
, 4M104GG09
, 4M104GG10
, 4M104HH20
, 5F045AA18
, 5F045AB32
, 5F045AB33
, 5F045AB39
, 5F045CA15
, 5F045DP03
, 5F045EB02
, 5F045EC01
, 5F045EE02
, 5F045EE14
, 5F045EF02
, 5F103AA01
, 5F103BB12
, 5F103DD27
, 5F103HH03
, 5F103LL13
, 5F103LL14
, 5F110AA16
, 5F110BB02
, 5F110BB04
, 5F110BB05
, 5F110CC02
, 5F110CC07
, 5F110DD01
, 5F110DD03
, 5F110DD05
, 5F110DD13
, 5F110EE01
, 5F110EE02
, 5F110EE03
, 5F110EE04
, 5F110EE05
, 5F110EE06
, 5F110EE07
, 5F110EE08
, 5F110EE09
, 5F110EE14
, 5F110EE15
, 5F110EE28
, 5F110EE41
, 5F110EE44
, 5F110EE45
, 5F110FF01
, 5F110FF02
, 5F110FF03
, 5F110FF04
, 5F110FF09
, 5F110FF21
, 5F110FF23
, 5F110FF28
, 5F110FF30
, 5F110GG01
, 5F110GG02
, 5F110GG05
, 5F110GG13
, 5F110GG25
, 5F110GG32
, 5F110GG41
, 5F110GG43
, 5F110GG45
, 5F110GG47
, 5F110HJ01
, 5F110HJ04
, 5F110HJ13
, 5F110HJ18
, 5F110HJ23
, 5F110HL03
, 5F110HL04
, 5F110HL12
, 5F110HL21
, 5F110HL23
, 5F110HM15
, 5F110NN03
, 5F110NN04
, 5F110NN22
, 5F110NN23
, 5F110NN24
, 5F110NN27
, 5F110NN32
, 5F110NN35
, 5F110NN73
, 5F110NN78
, 5F110PP01
, 5F110PP03
, 5F110PP06
, 5F110PP10
, 5F110PP34
, 5F110QQ01
, 5F110QQ09
, 5F110QQ11
, 5F110QQ25
, 5F110QQ28
引用特許:
審査官引用 (6件)
-
シリコン酸化膜の作製方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平7-214362
出願人:三菱重工業株式会社
-
薄膜製造装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平5-138042
出願人:松下電器産業株式会社
-
光学的素子及びその製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平8-061768
出願人:ソニー株式会社
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