特許
J-GLOBAL ID：200903012080032050
薄膜を最初の基体から目的の基体上に移動させる方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
萩野 平 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-009604
公開番号（公開出願番号）：特開平9-213594
出願日： 1997年01月22日
公開日（公表日）： 1997年08月15日
要約：
【要約】【課題】 操作基体の破壊が無く、また操作基体を取り除く最中に薄膜が重い応力を受けないことを特徴とする薄膜を移動させる方法を提供する。【解決手段】 薄膜を最初の基体から目的の基体上に移動させる方法。この方法は下記の連続工程:裂開区域を有する操作基体(120)上に薄膜(112)を接合する工程;最初の基体を取り除く工程;薄膜(112)を目的の基体(132)と接合する工程;裂開区域に沿って操作基体(120)を裂開する工程から成ることを特徴とする。本発明は特に集積回路の立体構造の製造に応用される。
請求項（抜粋）：
操作基体(120) を用いて最初の基体(100) から目的の基体(132) 上へ薄膜(112) を移動させる方法であって、前記薄膜は最初の基体(100) に接合する第一の面(114) 及び前記第1の面の反対側に位置し、何も接合されない第二の面(116) とを有しており、その移動方法は下記の連続工程:薄膜の何も接合されていない面(116) を、操作基体(120) の固体部分(122) に裂開区域(126) を介して接合された表面膜(124) と接合させる工程;最初の基体(110) を取り除く工程;薄膜(112) の第一の面(114) と目的の基体(132) の表面(134) とを接合する工程;裂開区域(126) に沿って操作基体(120) を裂開する工程から成ることを特徴とする前記方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 21/02 B
, H01L 27/12 B
