ウエハレベルの半導体装置及びその作製方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：金山聡
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-207632
公開番号（公開出願番号）：特開2004-055628
出願日： 2002年07月17日
公開日（公表日）： 2004年02月19日
要約：

【課題】基板に実装された状態での温度変化によるSiチップクラックや半田ボール内のクラックが生じにくい構造で、製造コストの面でも有利な構造の、半導体チップの電極パッド形成側の面に、外部端子を再配置した半導体装置を提供する。同時に、そのような半導体装置の作製方法を提供する。【解決手段】半導体チップの電極パッド形成面上に配設された絶縁層を貫通する導電性ポストを設け、前記絶縁層の外部側に配設した外部接続端子と前記電極パッドとを、前記導電性ポストにより、あるいは、前記導電性ポストとこれに接続した前記絶縁層の少なくとも一面側ないし両面側に設けられた配線層とにより、電気的に接続しているウエハレベルの半導体装置であって、前記絶縁層は絶縁性のゴム弾性体からなり、導電性ポストは導電性のゴム弾性体からなる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

半導体チップの電極パッド形成面上に配設された絶縁層を貫通する導電性ポストを設け、前記絶縁層の外部側に配設した外部接続端子と前記電極パッドとを、前記導電性ポストにより、あるいは、前記導電性ポストとこれに接続した前記絶縁層の少なくとも一面側ないし両面側に設けられた配線層とにより、電気的に接続しているウエハレベルの半導体装置であって、前記絶縁層は絶縁性のゴム弾性体からなり、導電性ポストは導電性のゴム弾性体からなることを特徴とするウエハレベルの半導体装置。

IPC (2件)：

H01L23/12 , H01L21/3205

FI (2件)：

H01L23/12 501P , H01L21/88 T

Fターム (26件)：

5F033HH11 , 5F033HH22 , 5F033HH23 , 5F033JJ01 , 5F033JJ11 , 5F033JJ22 , 5F033JJ23 , 5F033KK08 , 5F033MM05 , 5F033MM13 , 5F033NN06 , 5F033NN07 , 5F033PP15 , 5F033PP27 , 5F033QQ08 , 5F033QQ09 , 5F033QQ10 , 5F033RR06 , 5F033RR22 , 5F033VV07 , 5F033WW00 , 5F033WW04 , 5F033XX00 , 5F033XX10 , 5F033XX17 , 5F033XX28

引用特許：

審査官引用 (9件)

半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-184447 出願人：新光電気工業株式会社
半導体装置、半導体ウエハ、半導体モジュールおよび半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-307554 出願人：株式会社日立製作所
半導体装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-247289 出願人：ジェイエスアール株式会社

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