特許
J-GLOBAL ID：200903062872828312

薄膜圧電体基板およびその製造方法

発明者：
中谷 将也

中谷 将也 について

, 
小牧 一樹

小牧 一樹 について

, 
森仲 克也

森仲 克也 について


出願人/特許権者：
松下電器産業株式会社

松下電器産業株式会社 について


代理人 (1件)： 岩橋 文雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-240787
公開番号（公開出願番号）：特開2003-060248
出願日： 2001年08月08日
公開日（公表日）： 2003年02月28日
要約：
【要約】【課題】 これまでの方法では5マイクロメートル以下の薄膜圧電体として十分な特性を得るまでにはいたっておらず、これを利用したセンサやアクチュエータが製品化された例は過去にはまだない。【解決手段】 圧電体の膜厚は5マイクロメートル以下の薄膜である薄膜圧電体基板を提供する。本発明によると、シリコン基板などに直接スパッタリングなどの方法では圧電特性の良いPZT薄膜を形成し難い材料基板の上に、圧電特性の良いPZTを薄膜状態で設置した基板を提供できる。
請求項（抜粋）：
基材の少なくとも一面に、第一の導電層と圧電体層が一体となって樹脂層によって貼り付けられており、上記圧電体の膜厚は5マイクロメートル以下の薄膜である薄膜圧電体基板。
IPC (5件)：
H01L 41/08 ,  B81B 3/00 ,  C23C 14/06 ,  H01L 41/18 ,  H01L 41/22
FI (5件)：
B81B 3/00 ,  C23C 14/06 N ,  H01L 41/08 D ,  H01L 41/18 101 Z ,  H01L 41/22 Z
Fターム (10件)：
4K029AA04 ,  4K029AA06 ,  4K029AA24 ,  4K029BA05 ,  4K029BA13 ,  4K029BA50 ,  4K029BB02 ,  4K029CA05 ,  4K029EA01 ,  4K029GA03
引用特許：
出願人引用 (7件)
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審査官引用 (5件)
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