特許
J-GLOBAL ID：200903062895244911

不揮発性半導体記憶装置及びそれを用いた不揮発性メモリシステム

発明者：
永嶋 宏行

永嶋 宏行 について

, 
福田 康之

福田 康之 について


出願人/特許権者：
株式会社東芝

株式会社東芝 について


代理人 (1件)： 特許業務法人高橋・林アンドパートナーズ
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-214203
公開番号（公開出願番号）：特開2007-226936
出願日： 2006年08月07日
公開日（公表日）： 2007年09月06日
要約：
【課題】ワード線毎に初期書き込み電圧を自動的に調整することが可能な不揮発性半導体記憶装置及びそれを用いた不揮発性メモリシステムを提供する。【解決手段】本発明の不揮発性半導体記憶装置1は、ROMヒューズ11と、ワード線毎に調整された初期書き込み電圧のパラメータを求める調整回路とを有している。この調整回路は、制御回路17の一部で構成されている。ROMヒューズ11は、前記ワード線毎の前記調整された初期書き込み電圧のパラメータを記憶する領域を有して入る。制御回路17は、ROMヒューズ11及びデータレジスタ22に記憶されている情報に基づいてメモリセルアレイ24にデータを書き込む。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
互いに交差するように配設される複数のビット線及びワード線と、前記ビット線及びワード線の交差部に配設される電気的に書き換え可能な複数のメモリセルを有するメモリセルアレイと、を具備する不揮発性半導体記憶装置であって、 前記ワード線毎に初期書き込み電圧のパラメータを求める調整回路と、 前記調整回路からの前記初期書き込み電圧のパラメータを受けて記憶する初期書き込み電圧パラメータ記憶部と、 前記初期書き込み電圧パラメータ記憶部に記憶された前記初期書き込み電圧のパラメータに基づいて前記メモリセルアレイに対するデータの書き込みを行う制御部と、 を具備する不揮発性半導体記憶装置。
IPC (3件)：
G11C 16/06 ,  G11C 16/02 ,  G11C 16/04
FI (4件)：
G11C17/00 632C ,  G11C17/00 611E ,  G11C17/00 622E ,  G11C17/00 631
Fターム (12件)：
5B125BA02 ,  5B125CA14 ,  5B125DB08 ,  5B125DB12 ,  5B125DC03 ,  5B125DE07 ,  5B125EA05 ,  5B125EA10 ,  5B125EB01 ,  5B125EG08 ,  5B125EK01 ,  5B125FA01
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (4件)
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