特許
J-GLOBAL ID：200903062912791085
電極形成用CVD原料、およびそれを用いて形成されたキャパシタ用電極、配線膜
発明者：
,
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
宮田 金雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-124726
公開番号（公開出願番号）：特開平11-317377
出願日： 1998年05月07日
公開日（公表日）： 1999年11月16日
要約：
【要約】【課題】 電極としてとくに白金族またはCu、あるいはこの系の酸化物を形成するために、安定に反応部へ輸送(供給)可能なCVD原料を提供する。【解決手段】 金属が白金族(Ru、Pt、Ir、Pd、Os、Rh、Re)またはCuである有機金属化合物をテトラヒドロフランまたはテトラヒドロフランを含む溶媒中に溶解して、CVD原料を得た。この原料中の水分は200ppm以下が望ましく、この原料を用いてCVD法により、成膜すると、原料が安定供給され、形成された電極膜の特性も向上した。これにより、キャパシタの特性が向上した。また、本原料により、他の電子デバイスの配線を形成しても良い。
請求項（抜粋）：
テトラヒドロフランに、金属が白金族またはCuである有機金属化合物の少なくとも一種以上が溶解されてなる電極形成用CVD原料。
IPC (6件)：
H01L 21/285
, H01L 21/285 301
, C23C 16/18
, H01L 21/205
, H01L 27/04
, H01L 21/822
H01L 21/285 C
, H01L 21/285 301 R
, C23C 16/18
, H01L 21/205
, H01L 27/04 C
