特許

J-GLOBAL ID：200903062974508851

窒化物系半導体素子及び窒化物系発光素子

発明者： 畑 雅幸 ,  林 伸彦
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社
代理人 (1件)： 芝野 正雅
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-219965
公開番号（公開出願番号）：特開2001-044573
出願日： 1999年08月03日
公開日（公表日）： 2001年02月16日
要約：

【要約】【課題】 発光に寄与しない電流成分を減少させることにより、動作電流や閾値電流密度を低下させ、素子の発熱を抑え、長寿命化に適した発光素子を提供する。【解決手段】p型第2クラッド層10と、p型第2クラッド層10上に形成され、p型第2クラッド層10との接合界面を有するp型コンタクト層12と、前記接合界面を通って発光層8に流れる電流の電流通路13の幅を制限する電流狭窄層14とを有するLDチップにおいて、前記接合界面のフッ素の濃度が2×1011cm-2以下であることを特徴とする。

請求項（抜粋）：

第1の窒化物系半導体層に再成長層が形成された窒化物系半導体素子において、前記窒化物系半導体層と前記再成長層との界面のフッ素の濃度が2×1011cm-2以下であることを特徴とする窒化物系半導体素子。

IPC (2件)：

H01S 5/343 ,  H01L 33/00

FI (2件)：

H01S 5/343 ,  H01L 33/00 C

Fターム (30件)：

5F041AA03 ,  5F041AA44 ,  5F041CA04 ,  5F041CA05 ,  5F041CA33 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA65 ,  5F041CA73 ,  5F041CA74 ,  5F041CB03 ,  5F041CB04 ,  5F041CB05 ,  5F073AA04 ,  5F073AA09 ,  5F073AA13 ,  5F073AA20 ,  5F073AA51 ,  5F073AA74 ,  5F073AA83 ,  5F073CA07 ,  5F073CB04 ,  5F073CB05 ,  5F073CB07 ,  5F073DA05 ,  5F073DA16 ,  5F073DA35 ,  5F073EA23 ,  5F073EA28

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 窒化ガリウム系化合物半導体のエッチング及び電極形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-032658   出願人：豊田合成株式会社, 株式会社豊田中央研究所, 新技術事業団
• 半導体レーザ及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-206937   出願人：株式会社東芝
• 半導体発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-145441   出願人：ソニー株式会社
• ウェット処理方法および装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-059767   出願人：株式会社日立製作所