特許
J-GLOBAL ID：200903062990829811

半導体装置及びその製造方法

発明者：
岩木 賢典

岩木 賢典 について


出願人/特許権者：
三菱電機株式会社

三菱電機株式会社 について


代理人 (1件)： 曾我 道照 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-079729
公開番号（公開出願番号）：特開平11-274375
出願日： 1998年03月26日
公開日（公表日）： 1999年10月08日
要約：
【要約】【課題】 熱膨張係数だけの関係で半導体装置の信頼性を確保することは難しいという課題があった。【解決手段】 基板2上にダイボンド材6によりチップ5を形成し、その上を封止樹脂材3によりモールドされたワイヤーボンド方式の半導体装置において、前記基板は、熱膨脹係数α1を有し、ガラス転移温度Tg1で形成され、前記チップは、熱膨脹係数α2を有するダイボンド材により、ガラス転移温度Tg2で形成され、前記封止樹脂材は、熱膨脹係数α3を有し、ガラス転移温度Tg3で形成され、関係式、Tg1≧Tg2≧Tg3、及びα1≦α2≦α3を満たすようにした。【効果】 熱ストレスにより発生する応力を低減し、また応力残磋を少なくすることにより基板と封止樹脂材との密着力を高めることができ、従来の温度サイクル試験や吸湿、加熱により発生しやすい界面での剥離並びにクラックを抑えることができる。
請求項（抜粋）：
基板上にダイボンド材によりチップを形成し、その上を封止樹脂材によりモールドされたワイヤーボンド方式の半導体装置において、前記基板は、熱膨脹係数α1を有し、ガラス転移温度Tg1で形成され、前記チップは、熱膨脹係数α2を有するダイボンド材により、ガラス転移温度Tg2で形成され、前記封止樹脂材は、熱膨脹係数α3を有し、ガラス転移温度Tg3で形成され、関係式、Tg1≧Tg2≧Tg3、及びα1≦α2≦α3を満たすことを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
H01L 23/29 ,  H01L 23/31
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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