DRAMコンデンサ-の下部電極の製造方法

発明者： , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：龍華明裕
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-008158
公開番号（公開出願番号）：特開2000-208736
出願日： 1999年01月14日
公開日（公表日）： 2000年07月28日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】 DRAMコンデンサーの下部電極を製造するのに要する時間を短縮する。【解決手段】 DRAMコンデンサーの下部電極の製造方法が提供される。この製造方法においては無形シリコンの代わりにポリシリコンを蒸着して下部電極250bを製造する。ポリシリコンの蒸着温度の方が無形シリコンの蒸着温度より高く、従って蒸着率もポリシリコンの方が無形シリコンより高いので蒸着時間が遥かに短縮される。ポリシリコン下部電極を形成した後、イオン群270をポリシリコン層に叩き付けてポリシリコン層の内部構造を破壊することによってポリシリコン層の上部が無形シリコン層252aに変化する。最後に半球グレインシリコン290を下部電極の上に形成することによって下部電極の表面積が増加する。

請求項（抜粋）：

DRAMコンデンサーの下部電極を製造する方法であり、基盤を提供するステップと、前記基盤上に誘電体層を形成するステップと、前記誘電体層にノード接触穴を形成するステップと、前記ノード接触穴の中と前記誘電体層上にドーピングされたポリシリコンを蒸着するステップと、前記ドーピングされたポリシリコンにパターン形成をして前記ノード接触穴の上に下部電極を形成するステップと、前記下部電極の表面にイオンを埋め込むステップとを備えたDRAMコンデンサー下部電極製造方法。

IPC (3件)：

H01L 27/108 , H01L 21/8242 , H01L 21/203

FI (2件)：

H01L 27/10 621 B , H01L 21/203 Z

Fターム (19件)：

5F083AD21 , 5F083AD42 , 5F083AD62 , 5F083GA02 , 5F083GA27 , 5F083JA32 , 5F083JA56 , 5F083MA06 , 5F083MA17 , 5F083PR21 , 5F083PR33 , 5F083PR36 , 5F103AA06 , 5F103BB09 , 5F103DD16 , 5F103GG02 , 5F103KK10 , 5F103PP03 , 5F103RR06

引用特許：

審査官引用 (10件)

半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-019954 出願人：日本電気株式会社
特開平3-278566
半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-125698 出願人：日本電気株式会社

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