特許
J-GLOBAL ID：200903063036418700

半導体装置,半導体装置の製造方法,薄膜トランジスタ ,薄膜トランジスタの製造方法,表示装置

発明者：
佐々木 昭史

佐々木 昭史 について


出願人/特許権者：
三洋電機株式会社

三洋電機株式会社 について


代理人 (1件)： 恩田 博宣
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-269872
公開番号（公開出願番号）：特開平8-051076
出願日： 1994年11月02日
公開日（公表日）： 1996年02月20日
要約：
【要約】【目的】結晶粒径が均一で且つ大きな多結晶シリコン膜を形成する。【構成】絶縁基板1上にRTA装置のランプ光を反射する膜2を形成する。次に、反射膜2上にバッファ膜3を形成する。続いて、バッファ膜3上に非晶質シリコン膜4を形成して、ランプ光を極短時間で複数回照射させる。ランプ光が照射されると非晶質シリコン膜4の表面は加熱されて溶融し、冷やされると凝固して結晶化することで多結晶シリコン膜5が形成される。ランプ光は非晶質シリコン膜4の全面に一括して照射されるため、多結晶シリコン膜5の結晶粒径は均一になる。また、非晶質シリコン膜4を透過したランプ光は反射膜2によって反射されるためランプ光の利用効率が高まり、非晶質シリコン膜4の加熱溶融が効率的に行われる。その結果、非晶質シリコン膜4の凝固速度が遅くなり、多結晶シリコン膜5の結晶粒径を大きくすることができる。
請求項（抜粋）：
溶融再結晶化法によって形成された多結晶シリコン膜を備えた半導体装置。
IPC (6件)：
H01L 21/20 ,  H01L 21/26 ,  H01L 21/268 ,  H01L 21/84 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336
FI (3件)：
H01L 21/26 L ,  H01L 21/84 ,  H01L 29/78 311 Y
引用特許：
出願人引用 (11件)
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審査官引用 (11件)
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