特許

J-GLOBAL ID：200903063052322801

絶縁膜の形成方法

発明者： 松岡 俊匡 ,  中野 雅行 ,  森下 敏 ,  岩田 浩 ,  柿本 誠三 ,  福島 隆史
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 梅田 勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-324978
公開番号（公開出願番号）：特開平10-163197
出願日： 1996年12月05日
公開日（公表日）： 1998年06月19日
要約：

【要約】【課題】 ゲート絶縁膜やキャパシタ絶縁膜は、MOSFETの微細化に伴い、より薄膜化とより高膜質なものが求められいる。したがって、本発明ではリーク電流や電子トラップの原因となる水素原子絶縁膜中への混入を防ぎ、良質な絶縁膜の形成方法を提供することを目的とする。【解決手段】少なくとも窒素含有分子のガスを用いて、シリコン基板上に絶縁膜を形成する絶縁膜の形成方法において、前記窒素含有分子のガスは酸素原子を含まず、窒素原子と水素原子との結合(N-H)を有しない化合物であり、前記窒素含有分子のガスの解離時には単原子状窒素を生成することを特徴する。

請求項（抜粋）：

少なくとも窒素含有分子のガスを用いて、シリコン基板上に絶縁膜の形成方法において、前記窒素含有分子のガスは、酸素原子を含まず、窒素原子と水素原子の結合を有しない化合物であり、解離時には単原子状窒素を生成するガスであることを特徴とする絶縁膜の形成方法。

IPC (3件)：

H01L 21/318 ,  H01L 21/324 ,  H01L 29/78

FI (3件)：

H01L 21/318 C ,  H01L 21/324 Z ,  H01L 29/78 301 G

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 絶縁膜形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-323129   出願人：沖電気工業株式会社
• p型半導体薄膜の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-309987   出願人：シャープ株式会社
• 半導体装置の絶縁膜形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-272969   出願人：沖電気工業株式会社
• シリカ系被膜の形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-221411   出願人：昭和電工株式会社