特許
J-GLOBAL ID：200903063103535112

薄膜形成用分子供給装置

発明者：
斎藤 建勇

斎藤 建勇 について

, 
小林 理

小林 理 について


出願人/特許権者：
株式会社日本ビーテック

株式会社日本ビーテック について


代理人 (1件)： 北條 和由
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-359650
公開番号（公開出願番号）：特開2006-169551
出願日： 2004年12月13日
公開日（公表日）： 2006年06月29日
要約：
【課題】 比較的広い成膜面9でも、単一の蒸発源から放射した分子により、均一性の高い膜厚を有する薄膜を形成出来るようにする。【解決手段】 複数の案内路4a、4b、4cを設け、この案内路4a、4b、4cにより分子蒸気の流量と分子蒸気の方向性を制御することで基板8の成膜面9上の膜厚分布を改善するものである。これにより、基板8の成膜面9の必要な部分に必要な量の成膜材料を到達させることができるので、成膜面9を回転させたり移動ることなく成膜面9上に形成される薄膜の膜厚のバラツキを小さくし、均一な膜厚の薄膜を形成出来るようにした。さらに成膜面9の任意の箇所の膜厚を或る程度自由にコントロール出来るようにした。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
蒸発源(1)から発生する成膜材料の分子を成膜面(9)に向けて放出し、この成膜面(9)に成膜材料を被着させて成膜する薄膜形成用分子供給装置において、蒸発源(1)から成膜面(9)に向けて分子を放出する筒状通路を有する複数の案内路(4a)、(4b)、(4c)を放射状に設け、これら案内路(4a)、(4b)、(4c)の一部または全部にそれらの分子通路面積を規制する規制手段を設けたことを特徴とする薄膜形成用分子供給装置。
IPC (3件)：
C23C 14/24 ,  H05B 33/10 ,  H01L 51/50
FI (3件)：
C23C14/24 A ,  H05B33/10 ,  H05B33/14 A
Fターム (6件)：
3K007AB18 ,  3K007DB03 ,  3K007FA00 ,  3K007FA01 ,  4K029DB12 ,  4K029EA07
引用特許：
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (4件)
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