特許
J-GLOBAL ID：200903063139886310
チャンファが形成された金属シリサイド層を備えた半導体素子の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
服部 雅紀
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-306195
公開番号（公開出願番号）：特開2001-148356
出願日： 2000年10月05日
公開日（公表日）： 2001年05月29日
要約：
【要約】【課題】 下部導電層と下部導電層によって自己整列されるコンタクト間の絶縁マージンを確保するために相異なる蝕刻液を使用した2段階の連続的な湿式蝕刻工程を用いる半導体素子の製造方法を提供する。【解決手段】 金属シリサイド層の一部が露出するマスクパターンを形成し、第1蝕刻液を使用して金属シリサイド層の露出した部位を等方性蝕刻して浅い溝が形成された金属シリサイド層を形成する。第2蝕刻液を使用して浅い溝が形成された金属シリサイド層表面に存在する欠陥を除去して滑らかな表面の金属シリサイド層を形成する。フォトレジストパターンをアッシング工程によって除去した後、単一の洗浄システム内で既存のストリップ工程と連続して行なわれる2段階の等方性湿式蝕刻工程を実施する。従って、半導体素子製造に必ず伴われる工程を効率的に用いることによって最小限の工程数によってアンダーカット領域を形成できる。
請求項（抜粋）：
金属シリサイド層上に前記金属シリサイド層の一部が露出するマスクパターンを形成し、第1蝕刻液を使用して前記金属シリサイド層の露出した一部を等方性蝕刻し浅い溝が形成された金属シリサイド層を形成し、第2蝕刻液を使用して前記浅い溝が形成された金属シリサイド層表面に存在するシリコン成分による欠陥を除去し、滑らかな表面を有する金属シリサイド層を形成することを特徴とする半導体素子の製造方法。
IPC (9件)：
H01L 21/28 301
, H01L 21/28
, H01L 21/306
, H01L 21/3205
, H01L 21/3213
, H01L 21/768
, H01L 29/43
, H01L 29/78
, H01L 21/336
H01L 21/28 301 D
, H01L 21/28 L
, H01L 21/306 F
, H01L 21/88 Q
, H01L 21/88 C
, H01L 21/90 C
, H01L 29/62 G
, H01L 29/78 301 G
, H01L 29/78 301 Y
