特許
J-GLOBAL ID：200903063163070933
力学量センサの製造方法および力学量センサ
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
特許業務法人 サトー国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-011903
公開番号（公開出願番号）：特開2009-283900
出願日： 2009年01月22日
公開日（公表日）： 2009年12月03日
要約：
【課題】半導体層と絶縁膜との間の応力集中を緩和することで機械的信頼性を向上できるようにする。【解決手段】支持基板9の上面上にp型不純物がドープされた酸化膜10を介して形成されたシリコン層11について当該シリコン層11を第1幅W1の第1電極部分となる可動電極3d、固定電極4bと、第1幅W1よりも広い第2幅W2の第2電極部分となるシリコン層11(可動部3の一部)とを酸化膜10の上面が露出するまで例えば異方性エッチング処理によって分断処理することで複数に加工する。次に、露出した酸化膜10をシリコン層11の下の中央寄りの支持部10bを残留させながら支持部10b脇の酸化膜10を例えば等方性エッチングにより除去する。【選択図】図9
請求項（抜粋）：
互いに離間した複数の電極を具備し、当該複数の電極間の静電容量の変化を力学量として検出する力学量センサにおいて、
p型不純物がドープされた第1支持基板と、前記第1支持基板上にp型不純物がドープされた第1絶縁膜を介して形成されると共にp型不純物がドープされた第1半導体層を備えたセンサ基板と、
前記センサ基板の第1半導体層上に形成されp型不純物がドープされた第2半導体層を備えたキャップ基板とを備えたことを特徴とする力学量センサ。
IPC (2件)：
FI (3件)：
H01L29/84 Z
, G01P15/125 Z
, H01L29/84 B
2F105AA02
, 2F105BB14
, 2F105BB15
, 2F105CD03
, 2F105CD13
, 4M112AA01
, 4M112AA02
, 4M112BA01
, 4M112BA07
, 4M112CA01
, 4M112CA03
, 4M112CA07
, 4M112CA13
, 4M112CA21
, 4M112CA24
, 4M112CA31
, 4M112CA33
, 4M112DA03
, 4M112DA06
, 4M112DA09
, 4M112DA18
, 4M112EA03
, 4M112EA04
, 4M112EA06
, 4M112EA11
, 4M112FA09
, 4M112FA20
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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