特許
J-GLOBAL ID:200903067200184702

半導体力学量センサ

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 伊東 忠彦
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2003-400375
公開番号(公開出願番号):特開2005-164290
出願日: 2003年11月28日
公開日(公表日): 2005年06月23日
要約:
【課題】 本発明は、半導体力学量センサに関し、配線による専有スペースをできるだけ縮小しつつ、配線の支持基板への接触を抑制することを目的とする。【解決手段】 半導体力学量センサ10は、支持基板の上に絶縁層を介して活性層を重ねたシリコン半導体結晶をエッチングすることにより形成され、センサ素子12の各固定電極と電極パッド36とを繋ぐ配線32を備える。配線32を、配線本体32aと、配線本体32aよりも幅の大きい配線拡幅部32bと、により構成する。すなわち、配線32の途中に、配線本体32aに比べて幅の大きい配線拡幅部32bを設ける。【選択図】 図2
請求項(抜粋):
支持基板の上に絶縁層を介して活性層を重ねた半導体結晶をエッチングすることにより形成され、センサ素子と外部に接続される電極パッドとを接続する配線を備える半導体力学量センサであって、 前記配線の途中に、該配線の他の部位に比べて幅の大きい拡幅部を設けたことを特徴とする半導体力学量センサ。
IPC (3件):
G01C19/56 ,  G01P9/04 ,  H01L29/84
FI (3件):
G01C19/56 ,  G01P9/04 ,  H01L29/84 Z
Fターム (16件):
2F105AA02 ,  2F105BB13 ,  2F105CC04 ,  2F105CD03 ,  2F105CD05 ,  2F105CD13 ,  4M112AA02 ,  4M112BA07 ,  4M112CA21 ,  4M112CA24 ,  4M112CA31 ,  4M112CA33 ,  4M112EA03 ,  4M112EA06 ,  4M112EA11 ,  4M112FA20
引用特許:
出願人引用 (1件)
  • 角速度検出装置
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平11-160135   出願人:トヨタ自動車株式会社
審査官引用 (7件)
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