CMPスラリおよび半導体装置の製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴江武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-362923
公開番号（公開出願番号）：特開2003-163189
出願日： 2001年11月28日
公開日（公表日）： 2003年06月06日
要約：

【要約】【課題】低エロージョンおよび低スクラッチのCMPプロセスを実現すること。【解決手段】ハードパッドを用い、かつCu配線4が埋め込まれる層間絶縁膜2の修復成分として、表面が疎水性になるように処理されたシリカ5を含むスラリを使用する。

請求項（抜粋）：

絶縁材料からなる領域および導電材料からなる領域の少なくとも一方を含む被研磨領域を研磨するための研磨成分と、前記被研磨領域のスクラッチを修復するための修復成分とを含有してなることを特徴とするCMPスラリ。

IPC (3件)：

H01L 21/304 622 , B24B 37/00 , B24B 57/02

FI (3件)：

H01L 21/304 622 D , B24B 37/00 H , B24B 57/02

Fターム (7件)：

3C047FF08 , 3C047GG15 , 3C058AA07 , 3C058AC04 , 3C058CB01 , 3C058CB03 , 3C058DA17

引用特許：

審査官引用 (6件)

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