特許
J-GLOBAL ID：200903063216078885
スクライブ形成方法、スクライブ形成装置、多層基板
発明者：
,
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出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
西 和哉
, 志賀 正武
, 青山 正和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-197394
公開番号（公開出願番号）：特開2007-015169
出願日： 2005年07月06日
公開日（公表日）： 2007年01月25日
要約：
【課題】 複数の層を積層させた多層基板に対して、切り屑を発生させることなく、かつ良好に分割することが可能な分割予定線を形成することができるスクライブ形成方法、スクライブ形成装置、多層基板を提案する。 【解決手段】 複数の層P1〜P3からなる多層基板Pに分割予定線Sを形成するスクライブ形成方法であって、多層基板Pの内部にレーザ光を集光すると共に多層基板Pとレーザ光を相対移動させて、多層基板P内に改質領域S1を形成する工程と、改質領域S2〜Snを多層基板Pの厚み方向に複数重ねて形成する工程と、を有する。 【選択図】 図4
請求項（抜粋）：
複数の層からなる多層基板に分割予定線を形成するスクライブ形成方法であって、
前記多層基板の内部にレーザ光を集光すると共に前記多層基板と前記レーザ光を相対移動させて、前記多層基板内に改質領域を形成する工程と、
前記改質領域を前記多層基板の厚み方向に複数重ねて形成する工程と、
を有することを特徴とするスクライブ形成方法。
IPC (5件)：
B28D 5/00
, B23K 26/00
, B23K 26/04
, B23K 26/08
, C03B 33/09
B28D5/00 Z
, B23K26/00 D
, B23K26/04 C
, B23K26/08 D
, C03B33/09
3C069AA03
, 3C069BA08
, 3C069BB03
, 3C069CA11
, 3C069CB05
, 3C069EA02
, 4E068AA03
, 4E068AD00
, 4E068AE00
, 4E068CA11
, 4E068CE02
, 4E068CE04
, 4E068DA09
, 4E068DB13
, 4G015FA01
, 4G015FA03
, 4G015FA06
, 4G015FB01
, 4G015FB02
, 4G015FC10
