特許
J-GLOBAL ID：200903026433096317

半導体ウエーハの分割方法

発明者：
永井 祐介

永井 祐介 について


出願人/特許権者：
株式会社ディスコ

株式会社ディスコ について


代理人 (2件)： 小野 尚純 ,  奥貫 佐知子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-342229
公開番号（公開出願番号）：特開2004-179302
出願日： 2002年11月26日
公開日（公表日）： 2004年06月24日
要約：
【課題】半導体ウエーハの内部に集光点を合わせて赤外光レーザー光線を照射することにより、所定の内部に確実に変質層を形成することができる半導体ウエーハの分割方法を提供する。【解決手段】半導体ウエーハの分割方法は、半導体ウエーハの加工面を鏡面加工する鏡面加工工程と、該鏡面加工された加工面を通して内部に集光点を合わせてレーザー光線を照射して半導体ウエーハの内部に変質層を形成する変質層形成工程とを含む。【選択図】 図5
請求項（抜粋）：
半導体ウエーハを個々の半導体チップに分割する方法であって、 半導体ウエーハの加工面を鏡面加工する鏡面加工工程と、 該鏡面加工された加工面を通して内部に集光点を合わせてレーザー光線を照射して半導体ウエーハの内部に変質層を形成する変質層形成工程と、を含む、 ことを特徴とする半導体ウエーハの分割方法。
IPC (2件)：
H01L21/301 ,  H01L21/268
FI (2件)：
H01L21/78 L ,  H01L21/268 E
引用特許：
審査官引用 (8件)
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