特許
J-GLOBAL ID:200903063222159773
プラズマ処理装置
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (2件):
小野 由己男
, 稲積 朋子
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2003-022073
公開番号(公開出願番号):特開2004-235431
出願日: 2003年01月30日
公開日(公表日): 2004年08月19日
要約:
【課題】本発明は、試料の処理面に対して均一な処理を施すことができるプラズマ処理装置を提供することを目的とする。【解決手段】マイクロ波発生手段に接続され、試料の処理面に沿う断面が矩形状であり、前記マイクロ波発生手段から発生したマイクロ波の電界強度分布を前記試料の処理面に沿って概ね均一にする第1誘電体15と、前記第1誘電体の下部に設けられ、複数の第1スロット17aが形成されており、前記第1誘電体15内のマイクロ波の電界強度分布の均一性を保持またはさらに高めるスロット板17と、前記スロット板17の下部に設けられ、前記スロット板17から供給されるマイクロ波の電界強度分布の均一性を保持またはさらに高める第2誘電体と、前記マイクロ波により前記反応器内に発生するプラズマを用いて前記試料を処理する処理手段とを有するプラズマ処理装置を提供する。【選択図】 図3
請求項(抜粋):
反応器内の試料にプラズマ処理を行うプラズマ処理装置であって、
マイクロ波を発生するマイクロ波発生手段と、
前記マイクロ波発生手段に接続され、前記試料の処理面に沿う断面が矩形状であり、前記マイクロ波発生手段から発生したマイクロ波の電界強度分布を前記試料の処理面に沿って概ね均一にする第1誘電体と、
前記反応器と前記第1誘電体との間に設けられ、複数の第1スロットが形成されており、前記第1誘電体内のマイクロ波の電界強度分布の均一性を保持またはさらに高めるスロット板と、
前記スロット板と前記反応器との間に設けられ、前記スロット板から供給されるマイクロ波の電界強度分布の均一性を保持またはさらに高める第2誘電体と、
前記マイクロ波により前記反応器内に発生するプラズマを用いて前記試料を処理する処理手段と、
を有するプラズマ処理装置。
IPC (4件):
H01L21/31
, B01J19/08
, C23C16/511
, H05H1/46
FI (4件):
H01L21/31 C
, B01J19/08 H
, C23C16/511
, H05H1/46 B
Fターム (20件):
4G075AA24
, 4G075AA30
, 4G075BC04
, 4G075CA26
, 4G075DA02
, 4G075DA18
, 4G075EB01
, 4G075EB42
, 4G075EC09
, 4G075EC25
, 4G075FA01
, 4G075FC15
, 4K030FA01
, 4K030KA30
, 4K030LA15
, 5F045AA09
, 5F045BB02
, 5F045EB02
, 5F045EH02
, 5F045EH03
引用特許:
出願人引用 (7件)
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プラズマ処理装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平7-070264
出願人:住友金属工業株式会社
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プラズマ処理装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平9-095100
出願人:株式会社ダイヘン
-
プラズマ処理装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平7-044395
出願人:株式会社日立製作所
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審査官引用 (7件)
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