特許
J-GLOBAL ID：200903063299923999
エッチング処理した基板表面の洗浄方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
五十嵐 孝雄 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-369826
公開番号（公開出願番号）：特開2001-237236
出願日： 2000年12月05日
公開日（公表日）： 2001年08月31日
要約：
【要約】【課題】 プラズマエッチング後の半導体ウェハの洗浄方法を提供する。【解決手段】 半導体ウェハ上には複数の層が形成され、うち1層はフォトレジストマスクを上部に有する酸化物層である。プラズマエッチングでは、バイア形状の側壁にポリマ膜が生成される。フォトレジストマスクを除去するために灰化処理を行ない、その後、第1のブラシステーション内で、酸化物層と酸化物層内に形成されたバイア形状を第1の化学薬品でブラシスクラブ洗浄する。続いて、第1のブラシステーション内で純水で洗浄した後、第2の化学薬品を用いて第2のブラシステーション内でブラシスクラブ洗浄される。該第2のブラシステーションでは、酸化物層およびバイア形状は純水でスクラブ洗浄される。第1および第2のブラシスクラブ工程は、バイア形状の側壁からポリマ膜を除去するように行われる。
請求項（抜粋）：
半導体ウェハの洗浄方法であって、フォトレジストマスクを有する酸化物層にパターンをプラズマエッチングする工程と、前記フォトレジストマスクを除去するために前記半導体ウェハを灰化する工程と、化学薬品を添加しながら前記半導体ウェハをスクラブ洗浄することにより、前記プラズマエッチング中に前記パターン内に堆積したポリマ残留物を除去する工程とを備えることを特徴とする方法。
IPC (8件)：
H01L 21/3065
, B08B 1/04
, B08B 3/04
, B08B 3/08
, B08B 7/04
, H01L 21/304 644
, H01L 21/304 647
, H01L 21/304 648
B08B 1/04
, B08B 3/04 A
, B08B 3/08 Z
, B08B 7/04 A
, H01L 21/304 644 C
, H01L 21/304 647 Z
, H01L 21/304 648 H
, H01L 21/302 N
