液浸露光プロセス用レジスト保護膜形成用材料、複合膜、およびレジストパターン形成方法

発明者： , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：正林真之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-067863
公開番号（公開出願番号）：特開2006-227632
出願日： 2006年03月13日
公開日（公表日）： 2006年08月31日
要約：

【課題】液浸露光プロセス、中でもリソグラフィー露光光がレジスト膜に到達する経路の少なくとも前記レジスト膜上に空気より屈折率が高くかつ前記レジスト膜よりも屈折率が低い所定厚さの液体を介在させた状態で露光することによってレジストパターンの解像度を向上させる液浸露光プロセスにおいて、液浸露光中のレジスト膜の変質および使用液体の変質を同時に防止し、液浸露光を用いた高解像性レジストパターンの形成を可能とする。【解決手段】パーフルオロアルキルポリエーテルとして環式パーフルオロアルキルポリエーテルを含有する組成物を用いて、使用するレジスト膜の表面に、露光光に透明で、レジスト膜を浸漬させる液体に対して実質的に相溶性を持たず、かつレジスト膜との間でミキシングを生じない特性を有する保護膜を形成する。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

パーフルオロアルキルポリエーテルを含有する組成物からなり、露光光に対して透明で、液浸露光用の液体に対して実質的な相溶性を持たず、かつ前記レジスト膜との間でミキシングを生じない特性を有する、液浸露光プロセスに用いて好適なレジスト保護膜形成用材料であって、前記パーフルオロアルキルポリエーテルが環式パーフルオロアルキルポリエーテルであることを特徴とする液浸露光プロセス用レジスト保護膜形成用材料。

IPC (6件)：

G03F 7/11 , H01L 21/027 , G03F 7/20 , G03F 7/032 , G03F 7/075 , G03F 7/38

FI (7件)：

G03F7/11 501 , H01L21/30 575 , H01L21/30 515D , G03F7/20 521 , G03F7/032 , G03F7/075 511 , G03F7/38

Fターム (23件)：

2H025AA02 , 2H025AC04 , 2H025AC05 , 2H025AC06 , 2H025AC08 , 2H025AD03 , 2H025BE00 , 2H025BG00 , 2H025DA02 , 2H025FA01 , 2H025FA12 , 2H096AA25 , 2H096BA11 , 2H096DA10 , 2H096EA05 , 2H096EA06 , 2H096EA07 , 2H096FA10 , 2H096GA08 , 2H096JA02 , 2H096JA03 , 5F046AA28 , 5F046JA27

引用特許：

審査官引用 (5件)

反射防止膜形成用塗布液組成物およびこれを用いたレジスト材料
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-164600 出願人：東京応化工業株式会社
レジストパターンの形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-214415 出願人：沖電気工業株式会社
反射防止膜材料
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-069050 出願人：信越化学工業株式会社

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