特許
J-GLOBAL ID：200903007084980048
レジストパターンの形成方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
大垣 孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-214415
公開番号（公開出願番号）：特開平8-076382
出願日： 1994年09月08日
公開日（公表日）： 1996年03月22日
要約：
【要約】【目的】 大気中の汚染物質に起因するPED現象、および、保護膜中の酸または塩基のレジストの層への拡散に起因するPED現象の発生を同時に抑制できるレジストパターンの形成方法の提供。【構成】 下地11上に、ネガ型で酸触媒型化学増幅系レジストの層13を形成する。次に、分子量分布が、5000、50000および500000の互いに異なる複数のピークを有する酸性ポリマーのポリアクリル酸を以って、厚さ500Åの保護膜15を形成する。次に、レジストの層13を保護膜15を介して、光により選択的に露光する。次に、保護膜15を除去した後、露光済の試料を熱処理、現像して所望のレジストパターン13aを得る。
請求項（抜粋）：
化学増幅系レジストの層に対して選択的な露光をし、該露光済の試料を熱処理し、該熱処理済の試料を現像して所望のレジストパターンを形成するにあたり、少なくとも露光後から熱処理を行う前までの時期は、化学増幅系レジストの層上に、有機材料からなる保護膜を設け、前記化学増幅系レジストが酸触媒型のものである場合は、酸性ポリマーまたは酸発生剤を含有するポリマーを以って前記保護膜を構成し、前記化学増幅系レジストが塩基触媒型のものである場合は、塩基性ポリマーまたは塩基発生剤を含有するポリマーを以って前記保護膜を形成するレジストパターンの形成方法において、前記保護膜を形成するポリマーとして、分子量分布が互いに異なる複数のピークを有するポリマーを使用することを特徴とするレジストパターンの形成方法。
IPC (3件)：
G03F 7/11 501
, G03F 7/38 511
, H01L 21/027
H01L 21/30 568
, H01L 21/30 575
