特許
J-GLOBAL ID：200903063439348574
多結晶シリコン薄膜の製造方法および多結晶シリコン薄膜構造体素子
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
吉田 研二 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-212832
公開番号（公開出願番号）：特開平10-056186
出願日： 1996年08月12日
公開日（公表日）： 1998年02月24日
要約：
【要約】【課題】 多結晶シリコン薄膜内の応力分布を制御して多結晶シリコン薄膜構造体の形状を制御する。【解決手段】 基板11上に形成された非晶質シリコン薄膜31内にイオン注入法などによって酸素を導入して非晶質酸素導入領域41を形成し、その後この非晶質酸素導入領域41を含む非晶質シリコン薄膜31を熱処理して多結晶化して、多結晶酸素導入領域61を有する多結晶シリコン薄膜51を得る。シリコン薄膜内の応力が、酸素濃度に依存して変化することから、このような多結晶酸素導入領域41を多結晶シリコン薄膜内に形成して膜内での酸素濃度分布を調整して、多結晶シリコン薄膜内における応力分布を制御する。このように膜内の応力を制御すれば、上記多結晶シリコン薄膜51を片持梁構造や両持梁構造を構成した場合、梁の座屈や反りを防止することができる。
請求項（抜粋）：
非晶質シリコン薄膜中に酸素を導入して膜内に不均一な酸素濃度分布を形成し、この後に前記非晶質シリコン薄膜を多結晶化して多結晶シリコン薄膜を得ることを特徴とする多結晶シリコン薄膜の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 29/84
, G01P 15/125
, H01L 21/205
H01L 29/84 Z
, G01P 15/125
, H01L 21/205
