特許

J-GLOBAL ID：200903063461925640

有機半導体回路基板及びその製造方法

発明者： 末廣 康彦 ,  中西 秀雄
出願人/特許権者： 松下電工株式会社
代理人 (2件)： 西川 惠清 ,  森 厚夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-367440
公開番号（公開出願番号）：特開2005-135978
出願日： 2003年10月28日
公開日（公表日）： 2005年05月26日
要約：

【課題】製造方法を簡略化することができる有機半導体回路基板を提供する。【解決手段】有機トランジスタ2、有機ダイオード3及び薄膜コンデンサ4を基板5に設けて形成される有機半導体回路基板1に関する。有機トランジスタ2は、ゲート電極6、ゲート絶縁層7、半導体層8及びソース・ドレイン電極9,10をこの順に積層して形成される。有機ダイオード3は、陽極11、半導体層12及び陰極13をこの順に積層して形成される。薄膜コンデンサ4は、陽極14、誘電体層15及び陰極16をこの順に積層して形成される。有機トランジスタ2のゲート絶縁層7と薄膜コンデンサ4の誘電体層15とが同じ誘電体材料17で形成され、かつ、有機トランジスタ2の半導体層8と有機ダイオード3の半導体層12とが同じ有機半導体材料18で形成される。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

有機トランジスタ、有機ダイオード及び薄膜コンデンサを基板に設けて形成される有機半導体回路基板であって、有機トランジスタは、ゲート電極、ゲート絶縁層、半導体層及びソース・ドレイン電極をこの順に積層して形成され、有機ダイオードは、陽極、半導体層及び陰極をこの順に積層して形成され、薄膜コンデンサは、陽極、誘電体層及び陰極をこの順に積層して形成されると共に、有機トランジスタのゲート絶縁層と薄膜コンデンサの誘電体層とが同じ誘電体材料で形成され、かつ、有機トランジスタの半導体層と有機ダイオードの半導体層とが同じ有機半導体材料で形成されて成ることを特徴とする有機半導体回路基板。

IPC (10件)：

H01L29/786 ,  H01G4/33 ,  H01L21/822 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/04 ,  H01L27/06 ,  H01L27/08 ,  H01L29/861 ,  H01L51/00 ,  H05B33/14

FI (10件)：

H01L29/78 618B ,  H01L27/08 331E ,  H05B33/14 A ,  H01G4/06 102 ,  H01L29/78 613Z ,  H01L29/78 617T ,  H01L29/28 ,  H01L27/06 102A ,  H01L27/04 C ,  H01L29/91 G

Fターム (63件)：

3K007AB18 ,  3K007BA06 ,  3K007DB03 ,  3K007GA00 ,  5E082AA20 ,  5E082AB10 ,  5E082BB10 ,  5E082BC40 ,  5E082DD11 ,  5E082EE05 ,  5E082EE23 ,  5E082EE24 ,  5E082EE27 ,  5E082EE37 ,  5E082EE45 ,  5E082FF05 ,  5E082FG26 ,  5E082FG27 ,  5E082FG42 ,  5E082FG56 ,  5E082KK08 ,  5E082LL15 ,  5F038AC05 ,  5F038AC15 ,  5F038AC17 ,  5F038AC19 ,  5F038AZ02 ,  5F038EZ14 ,  5F038EZ15 ,  5F038EZ20 ,  5F048AA09 ,  5F048AC10 ,  5F048BA14 ,  5F048BA16 ,  5F048BB11 ,  5F048BF16 ,  5F110AA04 ,  5F110AA16 ,  5F110BB20 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD05 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE07 ,  5F110EE43 ,  5F110EE44 ,  5F110FF01 ,  5F110FF27 ,  5F110FF28 ,  5F110GG05 ,  5F110GG06 ,  5F110GG25 ,  5F110GG42 ,  5F110GG43 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK07 ,  5F110HK32 ,  5F110HK33 ,  5F110NN71 ,  5F110NN72

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 有機発光ダイオ-ドとモノリシックに集積化された薄膜トランジスタ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-148990   出願人：ルーセントテクノロジーズインコーポレーテッド

審査官引用 (6件)

• 有機半導体デバイス及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-041535   出願人：キヤノン株式会社
• 液晶表示パネル
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-378391   出願人：富士通株式会社
• 有機薄膜トランジスタ及び液晶素子と有機発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-274401   出願人：松下電器産業株式会社
• 液晶表示装置とその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-263301   出願人：日本電気株式会社
• 発光ディスプレイの画素駆動回路
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-013096   出願人：パイオニア株式会社
• スイッチング素子及び有機エレクトロルミネッセンス素子表示装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-056102   出願人：パイオニア株式会社