特許
J-GLOBAL ID：200903063487596679

樹脂封止型半導体装置

発明者：
広瀬 伸一

広瀬 伸一 について

, 
今泉 典久

今泉 典久 について


出願人/特許権者：
株式会社デンソー

株式会社デンソー について


代理人 (3件)： 伊藤 洋二 ,  三浦 高広 ,  水野 史博
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-230867
公開番号（公開出願番号）：特開2006-049698
出願日： 2004年08月06日
公開日（公表日）： 2006年02月16日
要約：
【課題】 ICチップとメッキ処理が施されたリードフレームとを電気的に接続し、これらをモールド樹脂で封止してなる樹脂封止型半導体装置において、インナーリードにおける樹脂密着性とアウターリードにおける抵抗溶接性とを両立する。【解決手段】 互いに電気的に接続されたICチップ10とリードフレーム20とがモールド樹脂40で封止されており、インナーリード21およびアウターリード22では、母材20a上に順に無電解Ni-Pメッキ膜20b、表面が粗化されたNiメッキ膜20cが設けられている。それにより、インナーリード21のメッキ膜の最表面は、モールド樹脂40との密着性を向上させるための粗化された形状となり、アウターリード22には、抵抗溶接可能な低い融点を持つ無電解Ni-Pメッキ膜20bが設けられた構成となっている。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
半導体素子(10)とメッキ処理が施されたリードフレーム(20)とが互いに電気的に接続され、前記半導体素子(10)および前記リードフレーム(20)がモールド樹脂(40)で封止されてなる樹脂封止型半導体装置において、 前記リードフレーム(20)のうち前記モールド樹脂(40)内に位置するインナーリード(21)のメッキ膜の最表面は、前記モールド樹脂(40)との密着性を向上させるために粗化された形状となっており、 前記リードフレーム(20)のうち前記モールド樹脂(40)から突出するアウターリード(22)には、抵抗溶接性を確保するための無電解Ni-Pメッキ膜(20b)が設けられていることを特徴とする樹脂封止型半導体装置。
IPC (2件)：
H01L 23/50 ,  H01L 23/48
FI (2件)：
H01L23/50 D ,  H01L23/48 K
Fターム (7件)：
5F067AB01 ,  5F067AB10 ,  5F067BB04 ,  5F067DC11 ,  5F067DC16 ,  5F067DC19 ,  5F067DC20
引用特許：
出願人引用 (4件)
  • 特開平4-115558号公報
  • 樹脂用インサート部材
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-207480   出願人：新光電気工業株式会社
  • 半導体装置用リードフレーム
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-201324   出願人：日本高純度化学株式会社
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審査官引用 (17件)
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