特許
J-GLOBAL ID：200903079860911516

半導体製造装置および半導体製造方法

発明者：
松野 年伸

松野 年伸 について

, 
井上 薫

井上 薫 について

, 
福田 健志

福田 健志 について


出願人/特許権者：
松下電子工業株式会社

松下電子工業株式会社 について


代理人 (1件)： 岩橋 文雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-044358
公開番号（公開出願番号）：特開2000-243703
出願日： 1999年02月23日
公開日（公表日）： 2000年09月08日
要約：
【要約】【課題】 所望のドーピング量または所望の結晶組成を有する半導体層を形成することのできる高性能の半導体製造装置を提供することを目的とする。【解決手段】 内部を気密に保つことができる反応管1と、反応管1の内部に設けられた、半導体を支持するための支持手段2と、反応管1を冷却するための水路10と、反応管1を加熱するための加熱手段16とを有する半導体製造装置における支持手段2上に半導体基板13を載置し、水路10により反応管1を冷却しながら反応管1内に原料ガスを流入することにより半導体基板13上にn型シリコンゲルマニウム層14を形成し、加熱手段16により反応管1を加熱することにより反応管1内に付着した反応生成物を除去し、n型シリコンゲルマニウム層14上にp型シリコンゲルマニウム層15を形成する。
請求項（抜粋）：
半導体を結晶成長するために内部を気密に保つことのできる反応管と、前記反応管内部に設けられ、半導体を支持するための支持手段と、前記反応管を冷却するための冷却手段と、前記反応管を加熱するための加熱手段とを有することを特徴とする半導体製造装置。
Fターム (12件)：
5F045AA07 ,  5F045AB01 ,  5F045AC01 ,  5F045AC19 ,  5F045CA02 ,  5F045DP04 ,  5F045DQ06 ,  5F045EB06 ,  5F045EJ04 ,  5F045EK06 ,  5F045EK11 ,  5F045EM10
引用特許：
審査官引用 (8件)
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