特許
J-GLOBAL ID：200903063550901223

半導体装置

発明者：
松澤 一也

松澤 一也 について


出願人/特許権者：
株式会社東芝

株式会社東芝 について


代理人 (1件)： 外川 英明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-277461
公開番号（公開出願番号）：特開2001-102591
出願日： 1999年09月29日
公開日（公表日）： 2001年04月13日
要約：
【要約】【課題】SOI型DTMISFETのソース・コレクタからボディ・コンタクトに流れる漏れ電流を抑制する。【解決手段】電子電動型であればチャネル領域よりも電子親和力の小さい半導体、正孔伝導型であればチャネル領域よりも電子親和力とバンドギャップの和が大きい半導体をボディ・コンタクト領域に形成する。電子電動型であればチャネル領域よりも仕事関数の大きな金属、正孔伝導型であればチャネル領域よりも仕事関数の小さな金属をボディ・コンタクト領域に形成する。
請求項（抜粋）：
基板と、前記基板上に形成された絶縁膜と、前記絶縁膜上に形成された第1の半導体領域と、前記第1の半導体領域中に形成された電子伝導型チャネル領域と、前記チャネル領域の両側に形成されたn型ソース領域及びn型ドレイン領域と、前記チャネル領域上にゲート絶縁膜を介して形成されたゲート電極と、前記第1の半導体領域に隣接し、前記絶縁膜上に形成された第2の半導体領域とを具備し、前記第2の半導体領域は、前記ゲート電極と電気的に接続されボディ・コンタクトとして機能し、前記チャネル領域よりも電子親和力が小さいことを特徴とする半導体装置。
FI (2件)：
H01L 29/78 622 ,  H01L 29/78 626 Z
Fターム (15件)：
5F110AA06 ,  5F110AA09 ,  5F110AA15 ,  5F110BB20 ,  5F110CC02 ,  5F110DD05 ,  5F110DD13 ,  5F110DD22 ,  5F110EE24 ,  5F110EE37 ,  5F110GG01 ,  5F110GG02 ,  5F110GG60 ,  5F110HM07 ,  5F110HM12
引用特許：
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (3件)

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