特許
J-GLOBAL ID：200903063620476193
半導体基板の加工方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
西教 圭一郎
, 杉山 毅至
, 廣瀬 峰太郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-286174
公開番号（公開出願番号）：特開2005-057052
出願日： 2003年08月04日
公開日（公表日）： 2005年03月03日
要約：
【課題】 半導体回路の形成面とは反対側表面が平坦になり、回路基板との良好な接続を実現することができる半導体素子を得ることができる半導体基板の加工方法を提供する。【解決手段】 研削工程K3では、基板の一方面側に互いに間隔をあけて設定された複数の回路形成領域内にそれぞれ半導体回路が形成された半導体基板を、所定の厚さになるまで半導体回路が形成された回路形成面とは反対側表面から研削手段で研削する。切削工程K4では、反対側表面から回路形成領域間の境界領域に対応する領域を、所定の深さまで切削手段で切削して回路形成面側に切り残し部を形成する。エッチング工程K5では、反対側表面から半導体基板をエッチングすることによって、研削面および切削面に生じた破砕層を除去するとともに、切り残し部を除去して半導体基板を複数の半導体素子に分割する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
基板の一方面側に互いに間隔をあけて設定された複数の回路形成領域内にそれぞれ半導体回路が形成された半導体基板を、回路形成領域間の境界領域で回路形成領域ごとに分割して複数の半導体素子に加工する半導体基板の加工方法において、
前記半導体基板を、所定の厚さになるまで前記半導体回路が形成された回路形成面とは反対側表面から研削手段で研削する研削工程と、
前記研削工程の後に、前記反対側表面から前記回路形成領域間の境界領域に対応する領域を、所定の深さまで切削手段で切削して前記回路形成面側に切り残し部を形成する切削工程と、
前記切削工程の後に、前記回路形成面とは反対側から前記半導体基板をエッチングすることによって、研削面および切削面に生じた破砕層を除去するとともに、前記切り残し部を除去して前記半導体基板を分割するエッチング工程とを有することを特徴とする半導体基板の加工方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L23/12 501P
, H01L21/78 S
出願人引用 (1件)
審査官引用 (5件)
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